CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high-temperature and harsh environment operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Hoja de datos
651En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
Hoja de datos
959En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package
Hoja de datos
603En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
663En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel


Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
1.301En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
1.007En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
416En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
176En existencias
240Fecha prevista: 26/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
294En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
1.180En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
1.004En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
872En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
164En existencias
720Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
255En existencias
240Fecha prevista: 13/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
422En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
68En existencias
240Fecha prevista: 16/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
78En existencias
960Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
159En existencias
240Fecha prevista: 12/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
80En existencias
480Fecha prevista: 05/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
Hoja de datos
421En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
201En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
2.878Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
446Fecha prevista: 16/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel