IMZA120R030M1HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMZA120R030M1HXK
IMZA120R030M1HXKSA1

Fabr.:

Descripción:
MOSFET CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package

Modelo ECAD:
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En existencias: 603

Existencias:
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Plazo de producción de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
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Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
12,93 € 12,93 €
10,00 € 100,00 €
8,64 € 864,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
Tube
Marca: Infineon Technologies
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad del paquete de fábrica: 240
Subcategoría: Transistors
Alias de parte #: IMZA120R030M1H SP005425985
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high-temperature and harsh environment operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.