Solutions for Energy Infrastructure

onsemi Solutions for Energy Infrastructure address the landscape for energy generation, distribution, and storage that is rapidly evolving to fulfill targets set by government policy and increasing consumption. Heightened efficiency targets, reductions of CO2 emissions, and a focus on renewable and clean energy are key factors in this Energy Infrastructure Evolution. onsemi offers a comprehensive portfolio of energy efficient solutions to serve the demanding needs of high-power applications including Silicon Carbide (SiC) Diodes, Intelligent Power Modules, and Current Sense Amplifiers.

Todos los resultados (39)

Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS
onsemi Diodos Schottky de SiC SIC TO220 SBD 20A 650V 764En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1


onsemi IGBT 650V 40A FS4 TRENCH IGBT 641En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

onsemi Diodos Schottky de SiC 650V SiC SBD 30A 132En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1


onsemi IGBT 650V FS4 Trench IGBT 188En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

onsemi Optoacopladores de salida lógica 1.0A Output Gate Driver Optocoupler 730En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

onsemi Optoacopladores de alta velocidad 10MBit Optocoupler HS Logic Gate 1.945En existencias
2.500Fecha prevista: 26/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

onsemi Optoacopladores de alta velocidad H-SPEED LOGIC GATE 1.627En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

onsemi Amplificadores del sentido de corriente Currnet Sense Amp 26V G=200 1.421En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

onsemi Amplificadores operacionales - Op Amps DUAL PRECISION OPAMP 994En existencias
6.000Fecha prevista: 13/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

onsemi MOSFET 100/20V N-Chan PowerTrench
2.851Fecha prevista: 20/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

onsemi MOSFET 120V NChnl Dual Cool PowerTrench MOSFET
3.000Fecha prevista: 17/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000


onsemi IGBT 650V FS4 Trench IGBT
900Fecha prevista: 17/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1


onsemi Diodos Schottky de SiC Silicon Carbide Schottky Diode No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

onsemi Módulos de potencia inteligentes - IPM 600V 40A PFCM No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60