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FFSD10120A

Name: onsemi FFSD10120A
Brand: onsemi
SKU: 512-FFSD10120A
Price: 2.82 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

512-FFSD10120A

Fabr. N.º:

FFSD10120A

Fabr.:

onsemi

Descripción:

Diodos Schottky de SiC Silicon Carbide Schottky Diode

Hoja de datos:

FFSD10120A Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DPAK-3 (TO-252-3)
Configuración:	Single
If - Corriente delantera:	10 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión delantera:	1.45 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	90 A
Ir - Corriente inversa:	200 uA
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	FFSD10120A
Empaquetado:	Reel
Marca:	onsemi
Pd (disipación de potencia):	283 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	EliteSiC
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV
Peso unitario:	260,370 mg

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TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
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ECCN:: EAR99

1200V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

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onsemi Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The EliteSiC portfolio includes 650V, 1200V, and 1700V diodes, 650V and 1200V IGBT and SiC diode Power Integrated Modules (PIMs), 1200V MOSFETs and SiC MOSFET drivers, and AEC-Q100 qualified devices.

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onsemi Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. SiC Schottky Diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. System benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost. onsemi offers 650V and 1200V devices in a range of current and package options, ideal for next-generation power system designs.

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onsemi Solutions for Energy Infrastructure address the landscape for energy generation, distribution, and storage that is rapidly evolving to fulfill targets set by government policy and increasing consumption. Heightened efficiency targets, reductions of CO2 emissions, and a focus on renewable and clean energy are key factors in this Energy Infrastructure Evolution. onsemi offers a comprehensive portfolio of energy efficient solutions to serve the demanding needs of high-power applications including Silicon Carbide (SiC) Diodes, Intelligent Power Modules, and Current Sense Amplifiers.

D1 EliteSiC Diodes

onsemi D1 EliteSiC Diodes is a high-performance and versatile solution designed for modern power electronics applications. The onsemi D1 features voltage ratings of 650V, 1200V, and 1700V. These diodes offer the flexibility to meet various design requirements. Featuring different packages, such as D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2, and TO-247-3, the D1 EliteSiC Diodes provide designers with options to optimize board space and thermal performance.