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FGH75T65SQDT-F155

Name: onsemi FGH75T65SQDT-F155
Brand: onsemi
SKU: 863-FGH75T65SQDTF155
Price: 6.14 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-FGH75T65SQDTF155

Fabr. N.º:

FGH75T65SQDT-F155

Fabr.:

onsemi

Descripción:

IGBT 650V 40A FS4 TRENCH IGBT

Hoja de datos:

FGH75T65SQDT-F155 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	6,14 €	6,14 €
	3,53 €	35,30 €
	2,96 €	296,00 €
	2,95 €	1.327,50 €
	2,90 €	2.610,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	IGBT
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.6 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	- 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C:	150 A
Pd (disipación de potencia):	375 W
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	FGH75T65SQDT
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Corriente de fuga puerta-emisor:	400 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	450
Subcategoría:	IGBTs
Peso unitario:	12,203 g

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Hoja de datos

FGH75T65SQDT-F155 Hoja de datos

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Solutions for Energy Infrastructure

onsemi Solutions for Energy Infrastructure address the landscape for energy generation, distribution, and storage that is rapidly evolving to fulfill targets set by government policy and increasing consumption. Heightened efficiency targets, reductions of CO2 emissions, and a focus on renewable and clean energy are key factors in this Energy Infrastructure Evolution. onsemi offers a comprehensive portfolio of energy efficient solutions to serve the demanding needs of high-power applications including Silicon Carbide (SiC) Diodes, Intelligent Power Modules, and Current Sense Amplifiers.