Resultados: 45
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Configuración If - Corriente delantera Vrrm - Tensión inversa repetitiva Vf - Tensión delantera Ifsm - Corriente de sobretensión delantera Ir - Corriente inversa Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Serie Empaquetado
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L 522En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 6 A 650 V 1.3 V 39 A 35 uA - 55 C + 175 C 4C06ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2473L 460En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 10 A 650 V 1.3 V 60 A 50 uA - 55 C + 175 C VS-4C20CP07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L 476En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C20ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2473L 455En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 10 A 650 V 1.3 V 60 A 50 uA - 55 C + 175 C VS-4C20CP07LHM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L 800En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 6 A 650 V 1.3 V 39 A 35 uA - 55 C + 175 C 4C06ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L 800En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C20ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L 955En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C20ET07T-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L 1.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C20ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2473L 500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Single 30 A 650 V 1,33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30E3P07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L 775En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L 800En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L 980En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07T-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L 1.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2473L 500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C40CP07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2473L 475En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C40CP07LHM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2472L
500Fecha prevista: 27/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 10 A 1.2 kV 1.34 V 50 A 162 uA - 55 C + 175 C VS-4C10EP12LHM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
800Fecha prevista: 27/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
1.000Fecha prevista: 27/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2472L
490Fecha prevista: 14/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15EP12L-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2472L
500Fecha prevista: 14/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15EP12LHM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
800Fecha prevista: 14/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
800Fecha prevista: 14/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
1.000Fecha prevista: 14/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12T-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
1.000Fecha prevista: 14/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12THM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
800Fecha prevista: 27/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape