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VS-4C20ET07S2LHM3

Name: Vishay VS-4C20ET07S2LHM3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-4C20ET07S2LHM3
Price: 5.23 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

78-VS-4C20ET07S2LHM3

Fabr. N.º:

VS-4C20ET07S2LHM3

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

VS-4C20ET07S2LHM3 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Fecha prevista: 14/04/2026
Plazo de producción de fábrica:: 12

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	5,23 €	5,23 €
	3,66 €	36,60 €
	2,96 €	296,00 €
	2,63 €	1.315,00 €
	2,24 €	1.792,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-263AB-2
Configuración:	Single
If - Corriente delantera:	20 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión delantera:	1.33 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	125 A
Ir - Corriente inversa:	110 uA
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	VS-4C20ET07S2LHM3
Marca:	Vishay Semiconductors
Pd (disipación de potencia):	125 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	650 V

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VS-4C20ET07S2LHM3 Hoja de datos (PDF)

Power Silicon Carbide Schottky Diodes

Vishay Semiconductors Power Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are advanced, high‑performance rectifiers designed to deliver exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics applications. Built on wide-band-gap SiC technology, these Vishay diodes offer virtually zero reverse‑recovery charge, extremely fast switching capability, and temperature‑invariant performance, making the devices ideal for next‑generation high‑frequency power conversion systems.