M1 EliteSiC MOSFETs

onsemi M1 EliteSiC MOSFETs feature voltage ratings of 1200V and 1700V. The onsemi M1 MOSFETs are designed to meet the requirements of high-power applications that demand reliability and efficiency. The M1 EliteSiC MOSFETs are available in various package options, including D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD, and bare die.

Resultados: 27
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Nombre comercial
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
Hoja de datos
967En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC 20MW 1200V
Hoja de datos
918En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
Hoja de datos
1.456En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
Hoja de datos
2.422En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
Hoja de datos
1.966En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
Hoja de datos
2.050En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART
Hoja de datos
2.153En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
Hoja de datos
1.185En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
Hoja de datos
612En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
Hoja de datos
247En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
Hoja de datos
233En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
Hoja de datos
282En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
Hoja de datos
224En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
Hoja de datos
679En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 80 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
Hoja de datos
1.182En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART
Hoja de datos
181En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L
Hoja de datos
770En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 30

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 81 A 40 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS 20MW 1200V
Hoja de datos
1.384En existencias
800Fecha prevista: 05/02/2027
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC 20MW 1200V
Hoja de datos
956En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
Hoja de datos
542En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
Hoja de datos
960En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1
Hoja de datos
84En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
Hoja de datos
829En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
Hoja de datos
205En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
Hoja de datos
53En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC