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NTHL080N120SC1A

Name: onsemi NTHL080N120SC1A
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL080N120SC1A
Price: 11.9 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NTHL080N120SC1A

Fabr. N.º:

NTHL080N120SC1A

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V

Hoja de datos:

NTHL080N120SC1A Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	31 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	110 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 15 V, + 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.3 V
Qg (carga de compuertas):	56 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	178 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia delantera: mín.:	13 S
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	20 ns
Serie:	NTHL080N120SC1A
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	22 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	13 ns
Peso unitario:	6 g

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Hoja de datos

NTHL080N120SC1A Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: República de Corea

El país puede cambiar en el momento del envío.

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