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onsemi Módulo MOSFET de potencia de puente en H EliteSiCNXVF6532M3TG01 de 650 V

El módulo MOSFET de potencia de puente H EliteSiC NXVF6532M3TG01 de 650 V de Onsemi está diseñado para aplicaciones de conversión de potencia exigentes en entornos automovilísticos e industriales. Construido con tecnología avanzada de carburo de silicio (SiC) el onsemi NXVF6532M3TG01 ofrece una eficiencia superior, conmutación rápida y un rendimiento térmico robusto. El módulo integra cuatro MOSFET SiC de 32 mΩ en una configuración de puente en H, lo que hace que el dispositivo sea ideal para utilizar en cargadores integrados (OBC) convertidores CC-CC y sistemas de propulsión de vehículos eléctricos (EV). Alojado en un paquete APM16 compacto con detección de temperatura integrada, el componente admite alta densidad de potencia y gestión térmica confiable. El NXVF6532M3TG01 está calificado como AEC-Q101/Q200 y AQG324, lo que garantiza una fiabilidad y un rendimiento de calidad automotriz en condiciones de funcionamiento adversas.

Características

  • Módulo MOSFET de SiC de 650 V 32 mΩ con Al2O3 DBC
  • Puente en H con SIP para el cargador integrado (OBC)
  • Separación/distancia según IEC60664-1, IEC 60950-1
  • Diseño compacto para una resistencia total del módulo baja
  • Serialización del módulo para una trazabilidad completa
  • 16 paquetes de módulo de potencia automotriz (APM16), 40,10 mm x 21,90 mm x 4,50 mm, 1,90 P, caja 829AA
  • Con clasificación UL 94V-0
  • Sin plomo y conforme con la RoHS
  • Calificado para automoción según AEC-Q101/Q200 y AQG324

Aplicaciones

  • Convertidores PFC/DC-DC para cargadores a bordo en vehículos eléctricos (EV)
  • Sistemas de propulsión de vehículos eléctricos
  • Accionamientos de motores industriales
  • Sistemas de energías renovables

Especificaciones

  • Voltaje máximo de drenaje a origen de 650 V
  • De -8 V a +22 V de rango de voltaje máximo de compuerta a fuente
  • De -3 V a +18 V de valores de operación recomendados máximos del voltaje de compuerta a fuente
  • 31 A de corriente de drenaje continua máxima
  • 65,2 W de disipación de potencia máxima
  • 165 A de corriente de drenaje pulsada máxima
  • 14,5 A de corriente máxima de la fuente del diodo de cuerpo
  • Energía de avalancha máxima de drenaje a fuente de pulso único de 139 mJ
  • Rango de temperatura de funcionamiento de la unión de -55 °C a +175 °C
  • Resistencia térmica
    • 2,3 °C/W máximo de unión a carcasa, 1,74 °C/W típico
    • 2,43 °C/W típico de unión a disipador de calor

Configuración de pines y esquema

Esquema - onsemi Módulo MOSFET de potencia de puente en H EliteSiCNXVF6532M3TG01 de 650 V

Dimensiones

Dibujo mecánico - onsemi Módulo MOSFET de potencia de puente en H EliteSiCNXVF6532M3TG01 de 650 V
Publicado: 2025-07-29 | Actualizado: 2025-08-08