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NXVF6532M3TG01

Name: onsemi NXVF6532M3TG01
Brand: onsemi
SKU: 863-NXVF6532M3TG01
Price: 21.47 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NXVF6532M3TG01

Fabr. N.º:

NXVF6532M3TG01

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC SiC Power MOSFET Module 650V, 32mohm H-Bridge

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	21,47 €	21,47 €
	17,57 €	175,70 €
	15,52 €	1.552,00 €
25.000	Cotización

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	APM-16
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	4 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	31 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	44 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, + 22 C
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	58 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	65.2 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	onsemi
Configuración:	Quad
Tiempo de caída:	9.2 ns
Transconductancia delantera: mín.:	12 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	6 ns
Serie:	NXVF6532M3TG01
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	4 N-Channel
Tipo:	Half Bridge
Tiempo típico de retraso de apagado:	33.2 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	8.4 ns

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NXVF6532M3TG01 Hoja de datos

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET

onsemi NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET Module is designed for demanding power conversion applications in automotive and industrial environments. Built with advanced Silicon Carbide (SiC) technology, the onsemi NXVF6532M3TG01 delivers superior efficiency, fast switching, and robust thermal performance. The module integrates four 32mΩ SiC MOSFETs in an H-Bridge configuration, making the device ideal for use in onboard chargers (OBCs), DC-DC converters, and electric vehicle (EV) powertrain systems. Housed in a compact APM16 package with integrated temperature sensing, the component supports high power density and reliable thermal management. The NXVF6532M3TG01 is AEC-Q101/Q200 and AQG324 qualified, ensuring automotive-grade reliability and performance in harsh operating conditions.