Resultados: 45
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
Hoja de datos
198En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 80 A 23 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 73 nC - 40 C + 175 C 356 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
Hoja de datos
235En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 44 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 37 nC - 40 C + 175 C 171 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
Hoja de datos
225En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 44 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 37 nC - 40 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Hoja de datos
140En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 10

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Hoja de datos
152En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 30

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97 A 23 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Hoja de datos
185En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 120

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 34 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
Hoja de datos
302En existencias
480Fecha prevista: 18/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U07 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 201 A 20 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 176 nC - 55 C + 175 C 711 W CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Hoja de datos
111En existencias
240Fecha prevista: 11/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 20

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 80 A 29 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Hoja de datos
138En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 20

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Hoja de datos
137En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 48 A 51 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 218 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
Hoja de datos
621En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

1.2 kV
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
Hoja de datos
1.705En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 50

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 80 A 22 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
Hoja de datos
1.730Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Hoja de datos
1.855En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 67 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 63.4 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Hoja de datos
574En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 89 mOhms - 10 V, + 25 C 5.1 V 48.7 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Hoja de datos
270En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 104 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 42.4 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Hoja de datos
377En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 43 A 138 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 32.8 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Hoja de datos
919En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 205 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 23.2 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
Hoja de datos
712En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

1.2 kV
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
Hoja de datos
672En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

1.2 kV
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
Hoja de datos
331En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

1.2 kV
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
Hoja de datos
296En existencias
480Fecha prevista: 18/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 129 A 12 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
Hoja de datos
654En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 20

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97 A 17 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
Hoja de datos
553En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 20

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 25 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
Hoja de datos
827En existencias
240Fecha prevista: 11/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 70

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A - 10 V, + 25 V 5.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement CoolSiC