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IMCQ120R078M2HXTMA1

Name: Infineon IMCQ120R078M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMCQ120R078M2HXT
Price: 7.14 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IMCQ120R078M2HXT

Fabr. N.º:

IMCQ120R078M2HXTMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

IMCQ120R078M2HXTMA1 Hoja de datos (PDF)

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	7,14 €	7,14 €
	4,85 €	48,50 €
	3,55 €	355,00 €
	3,24 €	1.620,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 750)
	3,24 €	2.430,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PG-HDSOP-22-U03
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	31 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	205 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5.1 V
Qg (carga de compuertas):	23.2 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	176 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSiC
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4.8 ns
Transconductancia delantera: mín.:	3 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	3.2 ns
Serie:	1200 V G2
Cantidad del paquete de fábrica:	750
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	SiC MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	11.7 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	5 ns
Alias de parte #:	IMCQ120R078M2H SP005974971

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Austria
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Austria

El país puede cambiar en el momento del envío.

CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs offer high-performance solutions for power electronics applications. These MOSFETs demonstrate excellent electrical characteristics and exhibit very low switching losses, enabling efficient operation. The 1200V G2 MOSFETs are designed for overload conditions, supporting operation up to 200°C, and can withstand short circuits for up to 2µs. These devices feature a 4.2V benchmark gate threshold voltage V_GS(th) and ensure precise control. The CoolSiC MOSFET 1200V G2 is available in three packages that build upon the strengths of Generation 1 technology to provide advanced solutions for more cost-optimized, efficient, compact, easy-to-design, and reliable systems. Generation 2 significantly improves key figures of merit for hard-/soft-switching topologies, ideal for all common combinations of DC-DC, AC-DC, and DC-AC stages.