STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Resultados: 17
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss
Hoja de datos
3.710En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 12 A 88 W - 55 C + 175 C STGD6M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
Hoja de datos
380En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Max247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 160 A 625 W - 55 C + 175 C STGYA120M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
Hoja de datos
980En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 258 W - 55 C + 175 C STGP30M65DF2 Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
Hoja de datos
2.128En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 8 A 68 W - 55 C + 175 C STGD4M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 15 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package
Hoja de datos
1.457En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 30 A 136 W - 55 C + 175 C STGB15M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT
Hoja de datos
54En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

- 20 V, 20 V HB2 Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
Hoja de datos
1.470En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 258 W - 55 C + 175 C STGB30M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
Hoja de datos
679En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 120 A 468 W - 55 C + 175 C STGW75M65DF2 Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads
Hoja de datos
692En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss
Hoja de datos
140En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 30 A 31 W - 55 C + 175 C STGF15M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
Hoja de datos
1.131En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 38 W - 55 C + 175 C STGF30M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
Hoja de datos
447En existencias
2.000Fecha prevista: 09/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si STGP10M65DF2 Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
Hoja de datos
344En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
Hoja de datos
396Fecha prevista: 26/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 120 A 488 W - 55 C + 175 C STGWA75M65DF2 Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 10 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si STGB10M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 8 A 68 W - 55 C + 175 C STGB4M65DF2 Reel
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 12 A 88 W - 55 C + 175 C STGP6M65DF2 Tube