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STGWA75M65DF2

Name: STMicroelectronics STGWA75M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA75M65DF2
Price: 6.07 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

511-STGWA75M65DF2

Fabr. N.º:

STGWA75M65DF2

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss

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Pedido:: 396

Fecha prevista: 09/07/2026
Plazo de producción de fábrica:: 14

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	6,07 €	6,07 €
	3,47 €	34,70 €
	2,91 €	291,00 €
	2,65 €	1.590,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBT
RoHS:
Tecnología:	Si
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.65 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	- 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C:	120 A
Pd (disipación de potencia):	488 W
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	STGWA75M65DF2
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Corriente continua del colector Ic Máx.:	120 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	250 uA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	IGBTs
Peso unitario:	6 g

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PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.