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STGP10M65DF2

Name: STMicroelectronics STGP10M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP10M65DF2
Price: 1.7 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STGP10M65DF2

Fabr. N.º:

STGP10M65DF2

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

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	0,578 €	289,00 €
	0,528 €	528,00 €
	0,507 €	1.014,00 €
	0,47 €	2.350,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBT
RoHS:
Tecnología:	Si
Serie:	STGP10M65DF2
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	IGBTs
Peso unitario:	2 g

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Hoja de datos

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PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.