Todos los resultados (137)

Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS
EPC FET de GaN EPC eGaN FET,80 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 6.05 x 2.3 4.900En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6 12.462En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía 200 V, 30 A Half-Bridge Development Board Featuring EPC2304 5En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 60V/20A 10En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 80V/17A 10En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 100V/15A 10En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía 12 V Input, 48 V/500 W Output Dual Phase Synchronous Boost Converter Evaluation Board 5En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1 12.443En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 9.130En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 12.440En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 20.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 12.227En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2 7.500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85 5.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5 12.478En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8 12.500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4 2.480En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET, 80 V, 3.6 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95 2.998En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,40 V, 1.5 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 2.85 2.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85 4.084En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 1.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 500

EPC Controladores láser IC LASER DRVR 40V 10A 3.3VLOGIC 2.280En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,80 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 12.490En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,15 V, 26 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2 4.960En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,40 V, 110 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 2.412En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500