Wolfspeed HEMT de GaN

Los HEMT (transistores de alta movilidad de electrones) de GaN (nitruro de galio) de Cree ofrecen una mayor densidad de potencia y anchos de banda más amplios en comparación con transistores de Si y GaAs. El GaN tiene propiedades superiores en comparación con el silicio o el arseniuro de galio, incluida una tensión de ruptura superior, mayor velocidad de desviación saturada de electrones y mayor conductividad térmica.

For design flexibility, the Wolfspeed GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.

Características

  • High efficiency
  • High gain
  • Wide bandwidth capabilities
  • High breakdown voltage
  • High saturated electron drift velocity
  • High thermal conductivity

Aplicaciones

  • 2-Way private radio
  • Broadband amplifiers
  • Cellular infrastructure
  • Test instrumentation
  • Class A and AB linear amplifiers suitable for OFDM, W-CDMA, EDGE, and CDMA waveforms
  • Satellite communications
  • PTP communications links
  • Marine radar
  • Pleasure craft radar
  • Port vessel traffic services
  • High-efficiency amplifiers

Comparison Chart

Tabla - Wolfspeed HEMT de GaN
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