HEMT de GaN

Los HEMT (transistores de alta movilidad de electrones) de GaN (nitruro de galio) de Cree ofrecen una mayor densidad de potencia y anchos de banda más amplios en comparación con transistores de Si y GaAs. El GaN tiene propiedades superiores en comparación con el silicio o el arseniuro de galio, incluida una tensión de ruptura superior, mayor velocidad de desviación saturada de electrones y mayor conductividad térmica.
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Resultados: 32
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Frecuencia operativa máxima Frecuencia operativa mínima Tecnología
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt 617En existencias
Cinta extraída
77,71 €
64,76 €
62,14 €
Bobina
62,14 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250
SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 950 mA - 3 V - 40 C + 150 C 18 GHz 0 Hz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt 11En existencias
2.042,21 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
SMD/SMT 1 Channel 125 V - 3 V - 40 C + 85 C 5.9 GHz 5.2 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt 909En existencias
92,58 €
77,59 €
72,34 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
SMD/SMT 440109 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt 3.491En existencias
Cinta extraída
51,81 €
45,00 €
42,22 €
39,76 €
Bobina
36,58 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 200
SMD/SMT QFN-6 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt 1.339En existencias
94,92 €
78,96 €
71,90 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt 700En existencias
440Fecha prevista: 01/03/2027
199,38 €
170,62 €
160,42 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt 261En existencias
500Fecha prevista: 20/11/2026
307,77 €
262,58 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 4.5 A - 3 V - 40 C + 150 C 4 GHz 2 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt 86En existencias
384,38 €
327,60 €
311,76 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C 4 GHz 2 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt 276En existencias
225Fecha prevista: 19/02/2027
456,93 €
389,43 €
370,60 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 1 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt 140En existencias
129,71 €
101,80 €
101,79 €
Ver
Mín.: 1
Múlt.: 1
Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 4.5 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt 340En existencias
800Fecha prevista: 05/02/2027
219,59 €
185,42 €
177,47 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Screw Mount 440166 N-Channel 100 V 4.2 A 2.3 V - 40 C + 150 C 1.4 GHz 960 MHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt 67En existencias
1.275Pedido
427,80 €
360,19 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 8.7 A 2.3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 500 MHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
370En existencias
250Fecha prevista: 03/05/2027
27,19 €
25,46 €
24,91 €
Mín.: 10
Múlt.: 10
SMD/SMT Die N-Channel 120 V 750 mA 1.6 Ohms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
40Fecha prevista: 01/02/2027
808,02 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 24 A - 3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 1 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
100Pedido
107,25 €
Mín.: 10
Múlt.: 10
SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 120 V 3 A 500 mOhms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt No en almacén Plazo producción 26 Semanas
482,71 €
426,28 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 500 MHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
78,22 €
Mín.: 100
Múlt.: 10
SMD/SMT Die N-Channel 120 V 1.5 A 1 Ohms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt No en almacén Plazo producción 26 Semanas
527,88 €
Mín.: 25
Múlt.: 25
Screw Mount 440162 N-Channel 150 V 18 A - 3 V - 40 C + 130 C 1.4 GHz 1.2 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 Watt
10Fecha prevista: 25/11/2026
1.146,38 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Screw Mount 440117 N-Channel 150 V 36 A - 3 V - 40 C + 130 C 1.4 GHz 1.2 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
200Fecha prevista: 25/11/2026
54,01 €
Mín.: 200
Múlt.: 10
SMD/SMT Die N-Channel 100 V 800 mA 2.3 Ohms - 3 V 18 GHz 10 MHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt
250Fecha prevista: 27/11/2026
Cinta extraída
157,23 €
132,69 €
118,37 €
Bobina
118,37 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250
SMD/SMT QSOP-20 N-Channel 150 V 6.3 A - 3 V - 40 C + 90 C 2.7 GHz 0 Hz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
124,47 €
Mín.: 50
Múlt.: 10
SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 50 V 3.2 A 6 GHz 0 Hz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
Actualmente Mouser no vende este producto en su región.
SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 120 V 6 A 250 mOhms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
Actualmente Mouser no vende este producto en su región.
SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 6 A 200 mOhms - 3 V + 225 C 18 GHz 10 MHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
Actualmente Mouser no vende este producto en su región.
SMD/SMT Die N-Channel 50 V 4 GHz 0 Hz GaN