HEMT de GaN

Los HEMT (transistores de alta movilidad de electrones) de GaN (nitruro de galio) de Cree ofrecen una mayor densidad de potencia y anchos de banda más amplios en comparación con transistores de Si y GaAs. El GaN tiene propiedades superiores en comparación con el silicio o el arseniuro de galio, incluida una tensión de ruptura superior, mayor velocidad de desviación saturada de electrones y mayor conductividad térmica.
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Resultados: 33
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
Hoja de datos
196En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 100 V 4.2 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
Hoja de datos
Comentarios de Producto
680En existencias
Mín.: 10
Múlt.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 750 mA 1.6 Ohms - 3 V
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
Hoja de datos
124En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
Hoja de datos
Comentarios de Producto
20En existencias
Mín.: 10
Múlt.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 100 V 2 A 600 mOhms - 3 V
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
Hoja de datos
Comentarios de Producto
10En existencias
Mín.: 10
Múlt.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 120 V 3 A 500 mOhms - 3 V
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
Hoja de datos
2.670En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
Hoja de datos
300En existencias
160Fecha prevista: 30/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
Hoja de datos
5En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
Hoja de datos
529En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 8.7 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
Hoja de datos
3En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 24 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET de GaN GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
Hoja de datos
66En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET de GaN GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
Hoja de datos
2En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT 1 Channel 125 V - 3 V - 40 C + 85 C
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
Hoja de datos
4En existencias
1.200Fecha prevista: 14/08/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 200

SMD/SMT QFN-6 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
Hoja de datos
5En existencias
750Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 4.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
Hoja de datos
38En existencias
600Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT 440109 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
Hoja de datos
750Fecha prevista: 15/09/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 950 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt
Hoja de datos
Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
Hoja de datos
Comentarios de Producto
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 1.5 A 1 Ohms - 3 V
MACOM FET de GaN GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440162 N-Channel 150 V 18 A - 3 V - 40 C + 130 C
MACOM FET de GaN GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 Watt
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 10
Múlt.: 10

Screw Mount 440117 N-Channel 150 V 36 A - 3 V - 40 C + 130 C
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
Hoja de datos
Comentarios de Producto
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 10
Múlt.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 100 V 800 mA 2.3 Ohms - 3 V
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 250
Múlt.: 250
: 250

SMD/SMT QSOP-20 N-Channel 150 V 6.3 A - 3 V - 40 C + 90 C
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
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No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 50 V 3.2 A
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
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70En existencias
Mín.: 10
Múlt.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 6 A 200 mOhms - 3 V + 225 C
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
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30En existencias
Mín.: 10
Múlt.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 50 V