HEMT de GaN

Los HEMT (transistores de alta movilidad de electrones) de GaN (nitruro de galio) de Cree ofrecen una mayor densidad de potencia y anchos de banda más amplios en comparación con transistores de Si y GaAs. El GaN tiene propiedades superiores en comparación con el silicio o el arseniuro de galio, incluida una tensión de ruptura superior, mayor velocidad de desviación saturada de electrones y mayor conductividad térmica.
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Resultados: 32
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Frecuencia operativa máxima
Frecuencia operativa mínima
Tecnología
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
Hoja de datos
126En existencias
1.800Pedido
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 200

SMD/SMT QFN-6 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
Hoja de datos
937En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT 440109 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
Hoja de datos
2.212En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
Hoja de datos
738En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
Hoja de datos
278En existencias
500Fecha prevista: 07/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 4.5 A - 3 V - 40 C + 150 C 4 GHz 2 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
Hoja de datos
87En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C 4 GHz 2 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
Hoja de datos
154En existencias
150Fecha prevista: 13/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 1 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
Hoja de datos
140En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 4.5 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
Hoja de datos
560En existencias
Mín.: 10
Múlt.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 750 mA 1.6 Ohms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
Hoja de datos
735En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 950 mA - 3 V - 40 C + 150 C 18 GHz 0 Hz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
Hoja de datos
14En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT 1 Channel 125 V - 3 V - 40 C + 85 C 5.9 GHz 5.2 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
Hoja de datos
1En existencias
20Fecha prevista: 25/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 24 A - 3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 1 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
Hoja de datos
Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 8.7 A 2.3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 500 MHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
Hoja de datos
60Fecha prevista: 24/09/2026
Mín.: 10
Múlt.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 120 V 3 A 500 mOhms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 250
Múlt.: 250
: 250

SMD/SMT QSOP-20 N-Channel 150 V 6.3 A - 3 V - 40 C + 90 C 2.7 GHz 0 Hz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 500 MHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 1.5 A 1 Ohms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440162 N-Channel 150 V 18 A - 3 V - 40 C + 130 C 1.4 GHz 1.2 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 Watt
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440117 N-Channel 150 V 36 A - 3 V - 40 C + 130 C 1.4 GHz 1.2 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 200
Múlt.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 100 V 800 mA 2.3 Ohms - 3 V 18 GHz 10 MHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
Hoja de datos
Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 100 V 4.2 A 2.3 V - 40 C + 150 C 1.4 GHz 960 MHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 50 V 3.2 A 6 GHz 0 Hz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
Hoja de datos

SMD/SMT Die N-Channel 50 V 4 GHz 0 Hz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
Hoja de datos

SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 120 V 6 A 250 mOhms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
Hoja de datos

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 6 A 200 mOhms - 3 V + 225 C 18 GHz 10 MHz GaN