Volver a Vishay

Vishay / Siliconix MOSFET (D-S) 20 V a canale N SiA466EDJ

El SiA466EDJ de Vishay es un MOSFET (D-S) de 20 V y canal N diseñado utilizando el paquete SC-70 con un tamaño de 2,05 mm x 2,05 mm. Tiene una protección ESD típica de 2500 V y está probado para Rg. El SiA466EDJ se utiliza normalmente para smartphones, informática móvil, convertidores CC/CC, gestión de energía, y conmutación de carga.

Características

  • TrenchFET® power MOSFET
  • Thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package
    • Small footprint area
    • Low on-resistance
  • 2500V (HBM) typical ESD protection 
  • 100% Rg tested

Aplicaciones

  • Smartphones and mobile computing
  • DC/DC converters
  • Power management
  • Load switches

Associated MOSFETs

Vishay / Siliconix MOSFET de canal N TrenchFET Gen IV

Ofrece una resistencia de encendido baja del sector de 1,35 mΩ a 4,5 V

Learn Moreacerca de Vishay / Siliconix MOSFET de canal N TrenchFET Gen IV View Productsrelacionado con Vishay / Siliconix MOSFET de canal N TrenchFET Gen IV
Publicado: 2015-03-02 | Actualizado: 2022-03-11