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SIA466EDJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA466EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIA466EDJ-T1-GE3
Price: 0.9 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SIA466EDJ-T1-GE3

Fabr. N.º:

SIA466EDJ-T1-GE3

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

Hoja de datos:

SIA466EDJ-T1-GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,903 €	0,90 €
	0,563 €	5,63 €
	0,369 €	36,90 €
	0,285 €	142,50 €
	0,258 €	258,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,223 €	669,00 €
	0,206 €	1.236,00 €
	0,199 €	1.791,00 €
	0,192 €	4.608,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SC-70-6
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	25 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	9.5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1 V
Qg (carga de compuertas):	20 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	19.2 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	SIA
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors

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Hoja de datos

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PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET de canal N TrenchFET Gen IV

Los MOSFET de canal N TrenchFET® Gen IV deVishay Siliconix son MOSFET de alimentación de canal N de la familia TrenchFET® de última generación de Vishay. Estos nuevos dispositivos utilizan un diseño de alta densidad y los SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP, y SiSA04DN ofrecen la resistencia de encendido más baja del sector de 1,35 mΩ a 4,5 V, y una baja carga de compuerta total en los paquetes SO-8 y 1212-8 PowerPAK®. Sus prestaciones incluyen un R_DS(activo)bajo, que adapta la tensión a menores pérdidas de conducción para reducir el consumo de energía, una relación Q_dg/Q_gs muy baja de 0,5 o inferior, y los paquetes 1212-8 PowerPAK® con una eficiencia similar y un tercio de su tamaño. Las aplicaciones habituales incluyen convertidores CC/CC de alta potencia, rectificación síncrona, convertidores de tipo buck síncronos y OR-ing.
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MOSFET (D-S) 20 V a canale N SiA466EDJ

El SiA466EDJ de Vishay es un MOSFET (D-S) de 20 V y canal N diseñado utilizando el paquete SC-70 con un tamaño de 2,05 mm x 2,05 mm. Tiene una protección ESD típica de 2500 V y está probado para R_g. El SiA466EDJ se utiliza normalmente para smartphones, informática móvil, convertidores CC/CC, gestión de energía, y conmutación de carga.
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Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.