STMicroelectronics MOSFET de alimentación MDmesh™ II

Los MOSFET de alimentación MDmesh™ II de STMicroelectronics asocian una estructura vertical a la distribución en tiras de STM para conseguir uno de los niveles de resistencia de encendido y de carga de compuertas más bajos de la industria, lo que los hace adecuados para los convertidores de alta eficiencia más exigentes. Estos MOSFET de alimentación MDmesh™ II están completamente aislados, tienen un paquete de perfil bajo con ruta de fugas ampliada desde el pin hasta la placa del disipador. Su resistencia frente a las avalanchas está probada al 100% y su capacitancia de entrada, su carga de compuertas, y su resistencia de entrada de compuertas son bajas.

Características

  • Fully insulated and low profile package with increased creepage path from pin to heatsink plate
  • Lower RDS(on) x area vs the previous generation 
  • 100% avalanche tested
  • Low input capacitance and gate charge
  • Zener-protected 
  • Low gate input resistance

Aplicaciones

  • Switching Applications
Publicado: 2009-05-28 | Actualizado: 2025-10-24