MOSFET e IGBT de alimentación para SMPS de STMicroelectronicsSTMicroelectronics ofrece las tecnologías más novedosas en lo referente a SMPS. Para usos tanto en aplicaciones SMPS de gama alta como en diseños SMPS sensibles al precio, ST ofrece una amplia cartera de productos de MOSFET y IGBT que satisface todas sus necesidades en materia de diseño. La cartera de productos de ST incluye MOSFET de máxima unión y alta tensión e IGBT trench-gate field-stop para etapas PFC y PWM y MOSFET de baja tensión basados en trench para rectificación síncrona. Los MOSFET SiC de 1200 V más recientes de ST combinan el máximo valor de temperatura de unión de la industria de 200° C con una zona muy baja de RDS(on) (con mínima variación frente a temperatura) y un excelente rendimiento de conmutación para diseños SMPS más eficientes y compactos. Para rectificación síncrona, la serie STripFET F7 de baja tensión cuenta con una resistencia en estado de activación extremadamente baja y una óptima relación Crss/Ciss de capacitancia. Explore la oferta completa de ST de MOSFET e IGBT para diseños SMPS.
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MOSFET de alimentación M5 MDmesh de STMicroelectronics
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La serie MDmesh M5 de 550 y 650 V de MOSFET de alimentación de máxima unión de STMicroelectronics ofrecen valores de RDS(on) elevados para reducir de forma significativa las pérdidas en los circuitos PFC de tensión lineal y en los suministros de alimentación Esto, a su vez, permite nuevas generaciones de productos electrónicos que ofrecen mayores ahorros de energía, una densidad de potencia superior, y aplicaciones más compactas. Esta nueva tecnología ayudará a los diseñadores de productos a abordar los problemas incipientes como los objetivos de alta eficiencia de las nuevas directivas de ecodiseño, y además beneficiarán al sector de las energías renovables ahorrando vatios vitales que normalmente se pierden en los módulos de control de potencia. Los MOSFET MDmesh M5 de STMicroelectronics presentan una tecnología a base de silicio que combina un innovador proceso de tecnología vertical patentado con la distribución horizontal PowerMESH de STMicroelectronics. Esta tecnología consigue hasta un 40% más de RDS(on) con respecto a la tecnología MDmesh II anterior y establece un nuevo hito en el ámbito de los conmutadores de alimentación. Características
- Valores de área de RDS(on) elevados
- Conmutación rápida
- Alta tasa de VDSS
- Gran capacidad de dV/dt
- Fácil de controlar
- Resistencia frente a avalanchas probada al 100%
| | Aplicaciones - SMPS (ordenadores, adaptadores de alta eficiencia y telecomunicaciones)
- Iluminación (resistencias electrónicas, HID)
- Pantallas (TV, monitores)
- Conversores solares
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STMicroelectronics
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MDmesh M5 de STMicroelectronics
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MOSFET de alimentación MDmesh™ M2 de STMicroelectronics
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La serie MDmesh™ M2 de 600 y 650 V de MOSFET de alimentación de máxima unión de STMicroelectronicsestán optimizados para aplicaciones de conmutación suave (fuentes de alimentación LLC resonantes) gracias al equilibrio optimizado entre el RDS(on), la carga de puertas (Qg) y las capacidades intrínsecas (Ciss, Coss). Además, también son adecuados para aplicaciones de PFC, especialmente de cargas ligeras.
Características
- Completamente aislados y con un paquete de perfil bajo con ruta de fugas ampliada desde el pin hasta la placa del disipador.
- Baja zona x RDS(activo) con respecto a la generación anterior
- Resistencia frente a avalanchas probada al 100%
- Capacitancia de entrada y carga de compuertas bajas
- Con protección Zener
- Baja resistencia de entrada de compuertas
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Aplicaciones
- Aplicaciones de conmutación
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MOSFET de alimentación MDmesh DM2 de STMicroelectronics
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La serie MDmesh DM2 de STMicroelectronics son la última serie de diodos de recuperación rápida de ST de MOSFET de alimentación de 600 V optimizados para topologías de puente con cambio de fase ZVS. Presentan una carga y tiempo de recuperación muy bajos (Qrr, trr) y un RDS(on) que es un 20% inferior, en comparación con la generación anterior. La alta solidez dV/dt (40 V/ns) garantiza una mejora de la fiabilidad del sistema. Características- Capacitancia de entrada y carga de compuertas extremadamente bajas
- Baja zona x RDS(activo) con respecto a la generación anterior
- Baja resistencia de entrada de compuertas
- Resistencia frente a avalanchas probada al 100%
- Con protección Zener
- Capacidades de avalancha y dv/dt extremadamente altas
Aplicaciones - Aplicaciones de conmutación
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MOSFET de alimentación MDmesh K5 de STMicroelectronics
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La serie MDmesh K5 de STMicroelectronics son MOSFET de tensión muy alta con máxima unión, el mejor RDS(on)de la industria y un valor de mérito por la densidad y eficiencia de potencia mejoradas. Las tensiones nominales son de 800 V, 950 V, y 1050 V.
Características - Capacidad de dV/dt extremadamente alta
- Resistencia frente a avalanchas probada al 100%
- Mejor FOM de todo el mundo
- Carga de compuertas muy baja
- Con protección Zener
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Aplicaciones - Fuentes de alimentación bajas en modo conmutación (SMPS)
- Convertidores CC/CC
- Baja potencia, bajo coste CFL
- Cargadores de baterías de baja potencia
- Aplicaciones de conmutación
- Conmutación de alta corriente y alta velocidad
- Iluminación
- Fuentes de alimentación, adaptadores y PFC fuera de línea
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MOSFET de alimentación STripFET™ F7 de STMicroelectronics
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Los MOSFET STripFET F7 de 80 y 100 V de STMicroelectronics ofrecen una estructura trench-gate mejorada que reduce la resistencia en estado de activación y a la vez reduce la carga de compuerta y capacitancias internas para una conmutación más rápida y eficiente. Son perfectos para la rectificación síncrona
MOSFET de alimentación STripFET™ H7 de STMicroelectronicsLa serie STripFET H7 de 30 V de STMicroelectronics están optimizados para sistemas de gestión de alimentación de alta densidad y alto rendimiento. Esta serie de MOSFET de baja tensión trench-gate combina una resistencia en estado de activación extremadamente baja y unas capacitancias ultra bajas con un diodo Schottky integrado y optimizado para un funcionamiento de frecuencia de conmutación mayor.
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| MOSFET de potencia de carburo de silicio SCTx0N120 de STMicroelectronics
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Los MOSFET de potencia de carburo de silicio SCTx0N120 de STMicroelectronics se fabrican con materiales de banda prohibida amplia avanzados e innovadores. Esto da lugar a una resistencia de encendido por área de unidad sin parangón y un muy buen rendimiento de conmutación prácticamente independiente de la temperatura. Las destacadas propiedades térmicas del material SiC y el paquete HiP247™patentado permiten a los diseñadores utilizar un perfil habitual en el sector con capacidades térmicas mejoradas significativamente. Estas características hacen que el dispositivo se adapte perfectamente a aplicaciones de densidad de alta eficiencia y alta potencia. Características
- Ligera variación de pérdidas de conmutación respecto a temperatura
- Capacidad de temperatura de funcionamiento muy alta (200 °C)
- Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
- Capacitancia baja
- Fácil de controlar
| | Aplicaciones - Inversores solares, SAI
- Accionamientos motorizados
- Convertidores CC-CC de alto voltaje
- Fuentes de alimentación en modo conmutación
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Serie IGBT V de STMicroelectronics
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La serie IGBT V de muy alta velocidad y tecnología trench-gate field-stop de 600 V de STMicroelectronics ofrece el Eoff más bajo de la industria. Combinados con una tensión de saturación baja de hasta 1,8 V y una temperatura máxima de unión en funcionamiento de 175 °C, permiten un incremento de la eficiencia del sistema, mayores frecuencias de conmutación (hasta 120 kHz) y un diseño EMI y térmico simplificados.
Serie IGBT HB de STMicroelectronics
La serie IGBT HB de 650 V de STMicroelectronics combina una tensión de saturación muy baja (hasta 1,6 V) con una cola de apagado de corriente de colector mínima y una temperatura de funcionamiento máxima de 175 °C. Esto mejora la eficacia de las aplicaciones de alta frecuencia (hasta 100 kHz) y aprovecha la estructura trench gate y field stop avanzada (TGFS) patentada.
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Recursos adicionales
Ver la serie de 650 V de STM
Ver el STGWT28IH125DF
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Serie IGBT H de STMicroelectronics
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Los IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop de la serie H de 1200 V de STMicroelectronics representan un equilibrio óptimo entre pérdidas de conducción y de conmutación para maximizar la eficiencia de cualquier convertidor de frecuencia. Gracias a la tecnología Trench-Gate Field-Stop de alta velocidad avanzada de ST, estos IGBT presentan un tiempo mínimo de resistencia a cortocircuitos de 5 μs a TJ=150 °C, incluyen una cola de apagado de corriente de colector mínima, así como una tensión de saturación muy baja (Vce(sat)), hasta 2,1 V (típica), para minimizar las pérdidas de energía durante la conmutación y en el encendido. Además, un coeficiente de temperatura VCE(sat) ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada permiten un funcionamiento más seguro en paralelo. Características
- Serie de conmutación de alta velocidad
- Corriente de cola minimizada
- VCE(sat) = 2,1 V (típ.) a IC = 40 A
- Tiempo mínimo de resistencia a cortocircuitos de 5 μs a TJ=150 °C
- Paralelismo seguro
- Diodo antiparalelo de recuperación muy rápida
- Resistencia térmica baja
- Paquete sin plomo
| Aplicaciones - Suministro de alimentación ininterrumpible (SAI)
- Máquinas soldadoras
- Inversores fotovoltaicos
- Corrección del factor de potencia
- Convertidores de alta frecuencia
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