STMicroelectronics MOSFET de potencia de carburo de silicio SCTx0N120

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio SCTx0N120 de STMicroelectronics se fabrican con materiales de banda prohibida amplia avanzados e innovadores. Esto da lugar a una resistencia de encendido por área de unidad sin parangón y un muy buen rendimiento de conmutación prácticamente independiente de la temperatura. Las destacadas propiedades térmicas del material SiC y el paquete HiP247™patentado permiten a los diseñadores utilizar un perfil habitual en el sector con capacidades térmicas mejoradas significativamente. Estas características hacen que el dispositivo se adapte perfectamente a aplicaciones de densidad de alta eficiencia y alta potencia.

Características

Automotive-grade (AG) qualified devices
Very high-temperature handling capability (max. T_J = 200°C)
Very low switching losses (minimal variation versus temperature) allowing to operate at a very high switching frequency

Low on-state resistance over the temperature range
Simple to drive
Very fast and robust intrinsic body diode proved

Aplicaciones

Solar inverters, UPS
Motor drives

High-voltage DC-DC converters
Switch mode power supplies

SiC MOSFET Portfolio

The STMicro STPOWER SiC MOSFET portfolio offers state-of-the-art packages (HiP247, H2PAK-7, TO-247 long leads, STPAK, and HU3PAK) designed for automotive and industrial applications.