Renesas Electronics FET SuperGaN® TP65H015G5WS
El FET SuperGaN® TP65H015G5WS de Renesas Electronics es un FET GaN de nitruro de galio de 650 V y 15 mΩ normalmente apagado que incorpora una plataforma SuperGaN Gen V. La plataforma emplea tecnologías de diseño avanzadas y patentadas. Estas características de Renesas TP65H015G5WS simplifican la fabricación y, al mismo tiempo, mejoran la eficiencia con respecto al silicio mediante una carga de puerta más baja, una capacitancia de salida, una pérdida de cruce y una carga de recuperación inversa.
Características
- Tecnología GaN calificada por JEDEC
- Producción dinámica de RDS(on)eff probada
- Diseño robusto definido por pruebas de vida útil intrínseca, un amplio margen de seguridad de la compuerta y capacidad de sobretensión transitoria
- El nivel de QRR es muy bajo
- Pérdida de cruce reducida
- Fácil de conducir con controladores de compuerta de uso común
- Permite diseños de PFC de poste tótem AC-DC sin puente con mayor densidad de potencia, reducción del tamaño y peso del sistema y menores costos generales del sistema
- Alcanza una mayor eficiencia tanto en circuitos con conmutación dura como blanda
- La disposición de los pines GSD mejora el diseño de alta velocidad
- Libre de halógenos y conforme a la normativa RoHS
Aplicaciones
- Comunicación de datos
- Amplia aplicación industrial
- Inversor fotovoltaico
- Motor servo
Especificaciones
- Voltaje de drenaje a fuente de 650 V
- Voltaje transitorio de drenaje a fuente de 725 V
- Voltaje de puerta a fuente de ±20 V
- Corriente de drenaje continuo
- 95 A a +25 °C
- 60 A a +100 °C
- Corriente de drenaje pulsada de 600 A
- Disipación de potencia máxima de 276 W
- Intervalo de temperatura de funcionamiento y almacenamiento de -55 °C a +150 °C
- Temperatura máxima de pico de soldadura de +260 °C
- Resistencia térmica
- 0,45°C/W de la unión al cuerpo
- 40°C/W de la unión al ambiente
Aplicación habitual
Con un esquema simplificado de medio puente
Publicado: 2025-09-15
| Actualizado: 2026-02-05