Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

TP65H015G5WS

Name: Renesas Electronics TP65H015G5WS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H015G5WS
Price: 18.98 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

227-TP65H015G5WS

Fabr. N.º:

TP65H015G5WS

Fabr.:

Renesas Electronics

Descripción:

FET de GaN GAN FET 650V 95A TO2 47

Hoja de datos:

TP65H015G5WS Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Renesas Electronics TP65H015G5WS

En existencias: 409

Existencias:: 409 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 16 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	18,98 €	18,98 €
	18,47 €	184,70 €
	17,35 €	1.735,00 €
	11,47 €	5.735,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	95 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	18 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, + 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	68 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	276 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Renesas Electronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de establecimiento:	20 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	900
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tiempo típico de retraso de apagado:	132 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	78 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

TP65H015G5WS Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

FET SuperGaN® TP65H015G5WS

El FET SuperGaN^®TP65H015G5WS de Renesas Electronics es un FET GaN de nitruro de galio de 650 V y 15 mΩ normalmente apagado que incorpora una plataforma SuperGaN Gen V. La plataforma emplea tecnologías de diseño avanzadas y patentadas. Estas características de Renesas TP65H015G5WS simplifican la fabricación y, al mismo tiempo, mejoran la eficiencia con respecto al silicio mediante una carga de puerta más baja, una capacitancia de salida, una pérdida de cruce y una carga de recuperación inversa.