onsemi MOSFET PowerTrench® de canal P de 150 V

Los MOSFET PowerTrench® de canal P de 150 V de Fairchild ofrecen una tecnología de silicio de canal P de media tensión R_DS(on) muy baja optimizada para Qg bajo, perfecto para aplicaciones de conmutación de carga. Este MOSFET de canal P se fabrica mediante el proceso PowerTrench® avanzado de Fairchild Semiconductor que se ha optimizado para una baja resistencia de estado al tiempo que se mantiene un rendimiento de conmutación superior.