MOSFET PowerTrench® de canal P de 150 V

Los MOSFET PowerTrench® de canal P de 150 V de Fairchild ofrecen una tecnología de silicio de canal P de media tensión RDS(on) muy baja optimizada para Qg bajo, perfecto para aplicaciones de conmutación de carga. Este MOSFET de canal P se fabrica mediante el proceso PowerTrench® avanzado de Fairchild Semiconductor que se ha optimizado para una baja resistencia de estado al tiempo que se mantiene un rendimiento de conmutación superior.
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi MOSFET -150V P-Channel QFET
Hoja de datos
12.191En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT Power-33-8 P-Channel 1 Channel 150 V 3 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 9 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement QFET Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET PT5 150/25V Pch PowerTrench MOSFET
Hoja de datos
19.209Pedido
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SSOT-3 P-Channel 1 Channel 150 V 800 mA 1.2 Ohms - 25 V, 25 V 3.3 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel