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Microchip Technology MOSFET SIC de 1200 V

Los MOSFET SIC de 1200 V de Microchip Technology ofrecen una alta eficiencia en una solución más ligera y compacta. Los dispositivos proporcionan una baja resistencia de puerta interna (ESR), lo que se traduce en una velocidad de conmutación rápida. Los MOSFET son fáciles de accionar y de conectar en paralelo, con capacidades térmicas optimizadas y menores pérdidas de conmutación.

Los MOSFET SIC de 1200 V de Microchip eliminan la necesidad de un diodo de rueda libre externo y proporcionan una resistencia a la avalancha superior en un diodo de cuerpo rápido y fiable.

Características

  • Capacitancias bajas y carga de puerta baja
  • Velocidad de conmutación rápida gracias a la baja resistencia de puerta interna (ESR)
  • Funcionamiento estable a alta temperatura de unión, TJ(max) = 175 °C
  • Diodo de cuerpo rápido y fiable
  • Resistencia superior a la avalancha (100 % de la producción UIS probada)
  • Distancia de fuga (típicamente >8 mm)

Aplicaciones

  • Inversores fotovoltaicos (PV), convertidores y accionamientos de motores industriales
  • Transmisión y distribución de redes inteligentes
  • Calentamiento e inducción por soldadura
  • Tren de potencia de vehículos híbridos eléctricos (HEV) y cargador de vehículos eléctricos (EV)
  • Suministro y distribución de energía

Aplicación habitual

Diagrama de circuito de aplicación - Microchip Technology MOSFET SIC de 1200 V
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Número de referencia Hoja de datos Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Id: corriente de drenaje continuo
MSC020SMB120B4N MSC020SMB120B4N Hoja de datos 24 mOhms 97 A
MSC025SMB120B4N MSC025SMB120B4N Hoja de datos 33 mOhms 81 A
MSC030SMB120B4N MSC030SMB120B4N Hoja de datos 40 mOhms 69 A
MSC040SMB120B4N MSC040SMB120B4N Hoja de datos 53 mOhms 54 A
MSC045SMB120B4N MSC045SMB120B4N Hoja de datos 60 mOhms 49 A
MSC060SMB120B4N MSC060SMB120B4N Hoja de datos 80 mOhms 38 A
MSC080SMB120B4N MSC080SMB120B4N Hoja de datos 107 mOhms 30 A
MSC031SMC120B4N MSC031SMC120B4N Hoja de datos 42 mOhms 72 A
Publicado: 2025-09-19 | Actualizado: 2025-09-29