Microchip Technology MOSFET SIC de 1200 V
Los MOSFET SIC de 1200 V de Microchip Technology ofrecen una alta eficiencia en una solución más ligera y compacta. Los dispositivos proporcionan una baja resistencia de puerta interna (ESR), lo que se traduce en una velocidad de conmutación rápida. Los MOSFET son fáciles de accionar y de conectar en paralelo, con capacidades térmicas optimizadas y menores pérdidas de conmutación.
Los MOSFET SIC de 1200 V de Microchip eliminan la necesidad de un diodo de rueda libre externo y proporcionan una resistencia a la avalancha superior en un diodo de cuerpo rápido y fiable.
The TO-247-4 Notch package enables efficient, high-power designs with improved thermal performance and reduced parasitic effects. Its four-lead layout includes a Kelvin source to reduce gate ringing and switching losses, while the Notch design enhances creepage distance for improved high-voltage reliability.
The QDPAK package is a compact, surface-mount, top-side cooled solution designed to maximize the performance advantages of silicon carbide devices in high-power applications. It enables a direct thermal path from the device to an external heatsink, decoupling heat dissipation from the PCB and improving thermal performance, power density, and layout flexibility. The package also reduces parasitic inductance, supports fast switching, and simplifies automated assembly, while its emerging industry‑standard footprint allows scalable, multi-source designs and reduced system complexity.
Características
- Capacitancias bajas y carga de puerta baja
- Velocidad de conmutación rápida gracias a la baja resistencia de puerta interna (ESR)
- Funcionamiento estable a alta temperatura de unión, TJ(max) = 175 °C
- Diodo de cuerpo rápido y fiable
- Resistencia superior a la avalancha (100 % de la producción UIS probada)
- Distancia de fuga (típicamente >8 mm)
Aplicaciones
- Inversores fotovoltaicos (PV), convertidores y accionamientos de motores industriales
- Transmisión y distribución de redes inteligentes
- Calentamiento e inducción por soldadura
- Tren de potencia de vehículos híbridos eléctricos (HEV) y cargador de vehículos eléctricos (EV)
- Suministro y distribución de energía
Aplicación habitual
| Número de referencia | Hoja de datos | Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) | Id: corriente de drenaje continuo |
|---|---|---|---|
| MSC020SMB120B4N |  |
24 mOhms | 97 A |
| MSC025SMB120B4N | |
33 mOhms | 81 A |
| MSC030SMB120B4N | |
40 mOhms | 69 A |
| MSC040SMB120B4N | |
53 mOhms | 54 A |
| MSC045SMB120B4N | |
60 mOhms | 49 A |
| MSC060SMB120B4N | |
80 mOhms | 38 A |
| MSC080SMB120B4N | |
107 mOhms | 30 A |
| MSC025SMB120Q | |
25 mOhms | |
| MSC030SMB120Q | |
30 mOhms | |
| MSC045SMB120Q | |
45 mOhms |