MOSFET SIC de 1200 V

Los MOSFET SIC de 1200 V de Microchip Technology ofrecen una alta eficiencia en una solución más ligera y compacta. Los dispositivos proporcionan una baja resistencia de puerta interna (ESR), lo que se traduce en una velocidad de conmutación rápida. Los MOSFET son fáciles de accionar y de conectar en paralelo, con capacidades térmicas optimizadas y menores pérdidas de conmutación.

Resultados: 8
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 20 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
115En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97 A 24 mOhms - 10 V, 21 V 3 V 136 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
59En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 81 A 33 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 109 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 30 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
115En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 40 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 91 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
105En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Thorugh Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 53 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 69 nC - 55 C + 175 C 256 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 45 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
120En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 60 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 61 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 60 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
117En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 80 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 45 nC - 55 C + 175 C 192 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
81En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 107 mOhms - 10 V, + 21 V 5 V 34 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 31 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 72 A 42 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 70 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement