MACOM HEMT GaN de 6 GHz CGHV600
Los transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) de nitruro de galio (GaN ) de 6 GHz CGHV600 de Cree ofrecen mejor rendimiento en comparación con los transistores de silicio (Si) o de arseniuro de galio (GaAs). Los HEMT GaN CGHV600 ofrecen una tensión de ruptura superior, mayor velocidad de desviación saturada de electrones y mayor conductividad térmica. Además, estos transistores ofrecen una mayor densidad de potencia y anchos de banda más amplio. Los dispositivos de la serie CGHV600 son ideales para su uso en varias aplicaciones, como infraestructura de telefonía móvil y amplificadores de clase A, AB y lineales.
Características
- CGHV60040D
- 18dB typical small-signal gain at 4GHz
- 17dB typical small-signal gain at 6GHz
- 65% typical power-added efficiency
- 40W typical PSAT
- 50V operation
- High breakdown voltage
- Up to 6GHz operation
- 820μm x 1800μm x 100μm bare die
- CGHV60075D5
- 19dB typical small-signal gain at 4GHz
- 17dB typical small-signal gain at 6GHz
- 65% typical power-added efficiency
- 75W typical PSAT
- 50V operation
- High breakdown voltage
- Up to 6GHz operation
- 3000μm x 820μm x 100μm bare die
Aplicaciones
- 2-way private radio
- Broadband amplifiers
- Cellular infrastructure
- Test instrumentation
- Class A, AB, and linear amplifiers for OFDM, W-CDMA, EDGE, and CDMA waveforms
CGHV60040D Mechanical Drawing
CGHV60075D5 Mechanical Drawing
Related HEMTs
MACOM CMPA0530002S GaN HEMT
Specially designed for high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities.
Publicado: 2015-03-18
| Actualizado: 2024-01-18