HEMT GaN de 6 GHz CGHV600

Los transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) de nitruro de galio (GaN ) de 6 GHz CGHV600 de Cree ofrecen mejor rendimiento en comparación con los transistores de silicio (Si) o de arseniuro de galio (GaAs). Los HEMT GaN CGHV600 ofrecen una tensión de ruptura superior, mayor velocidad de desviación saturada de electrones y mayor conductividad térmica. Además, estos transistores ofrecen una mayor densidad de potencia y anchos de banda más amplio. Los dispositivos de la serie CGHV600 son ideales para su uso en varias aplicaciones, como infraestructura de telefonía móvil y amplificadores de clase A, AB y lineales.
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Pd (disipación de potencia)
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
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Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 10
Múlt.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 50 V 3.2 A
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
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10En existencias
Mín.: 10
Múlt.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 150 V 10 A 280 mOhms - 10 V, 2 V 41.6 W