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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Pd (disipación de potencia)
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
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Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 10
Múlt.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 50 V 3.2 A
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
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10En existencias
Mín.: 10
Múlt.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 150 V 10 A 280 mOhms - 10 V, 2 V 41.6 W