IXYS MOSFET de potencia de clase X4

Los MOSFET de potencia de clase X4 de IXYS ofrecen baja resistencia en estado activo y pérdidas de conducción bajas, con una eficiencia mejorada. Estos MOSFET de potencia vienen en un paquete PLUS, lo que permite una mayor corriente nominal y una mayor densidad de potencia. Los MOSFET de potencia de la clase X4 son compatibles con los pines del paquete TO-247 estándar y son fáciles de actualizar desde diseños existentes para ofrecer una mayor potencia de salida. Estos MOSFET de potencia cuentan con una baja carga de puerta y una baja resistencia térmica. Las aplicaciones típicas incluyen interruptor de carga DC, protección de batería, OR-ing de baterías, sistemas de almacenamiento de energía de batería y convertidores reductores-elevadores DC/DC.

Características

  • Baja resistencia en estado encendido
  • Alta corriente nominal
  • Baja carga de puerta
  • Resistencia térmica baja
  • Pérdidas de conducción bajas y mayor eficiencia
  • Esfuerzo de conexión en paralelo minimizado con una menor cantidad de piezas
  • Diseño de controlador simplificado
  • Diseño térmico simplificado
  • Modo de mejora del canal N
  • Clasificación de avalancha
  • Paquete PLUS que permite una mayor corriente nominal y una mayor densidad de potencia
  • Compatibilidad de pines con el paquete estándar TO-264
  • Fácil actualización de diseños existentes para ofrecer una mayor potencia de salida

Aplicaciones

  • Interruptor de carga DC
  • Protección de la batería
  • OR-ing de baterías
  • Sistemas de almacenamiento de energía en baterías
  • Convertidores reductores-elevadores DC/DC

Especificaciones

  • Voltaje de drenaje a fuente de 200 V a una temperatura comprendida entre 25 °C y 175 °C
  • Voltaje de la compuerta a la fuente:
    • ±20 V continuo
    • ±30 V transitorio
  • Corriente RMS en los terminales de 160 A
  • Corriente de drenaje:
  • Intervalo de temperaturas de almacenamiento de -55 °C a 175 °C

Diagrama de pines

Diagrama de circuito de aplicación - IXYS MOSFET de potencia de clase X4
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Número de referencia Tiempo de caída Pd (disipación de potencia) Qg (carga de compuertas) Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Tiempo de establecimiento Tiempo típico de retraso de apagado Tiempo de retardo de conexión típico
IXTX400N20X4 370 ns 1.36 kW 348 nC 3.3 mOhms 480 ns 430 ns 150 ns
IXTB500N20X4 485 ns 1.56 kW 535 nC 2.65 mOhms 560 ns 600 ns 200 ns
Publicado: 2025-12-26 | Actualizado: 2026-02-02