IXYS MOSFET de potencia de clase X4
Los MOSFET de potencia de clase X4 de IXYS ofrecen baja resistencia en estado activo y pérdidas de conducción bajas, con una eficiencia mejorada. Estos MOSFET de potencia vienen en un paquete PLUS, lo que permite una mayor corriente nominal y una mayor densidad de potencia. Los MOSFET de potencia de la clase X4 son compatibles con los pines del paquete TO-247 estándar y son fáciles de actualizar desde diseños existentes para ofrecer una mayor potencia de salida. Estos MOSFET de potencia cuentan con una baja carga de puerta y una baja resistencia térmica. Las aplicaciones típicas incluyen interruptor de carga DC, protección de batería, OR-ing de baterías, sistemas de almacenamiento de energía de batería y convertidores reductores-elevadores DC/DC.Características
- Baja resistencia en estado encendido
- Alta corriente nominal
- Baja carga de puerta
- Resistencia térmica baja
- Pérdidas de conducción bajas y mayor eficiencia
- Esfuerzo de conexión en paralelo minimizado con una menor cantidad de piezas
- Diseño de controlador simplificado
- Diseño térmico simplificado
- Modo de mejora del canal N
- Clasificación de avalancha
- Paquete PLUS que permite una mayor corriente nominal y una mayor densidad de potencia
- Compatibilidad de pines con el paquete estándar TO-264
- Fácil actualización de diseños existentes para ofrecer una mayor potencia de salida
Aplicaciones
- Interruptor de carga DC
- Protección de la batería
- OR-ing de baterías
- Sistemas de almacenamiento de energía en baterías
- Convertidores reductores-elevadores DC/DC
Especificaciones
- Voltaje de drenaje a fuente de 200 V a una temperatura comprendida entre 25 °C y 175 °C
- Voltaje de la compuerta a la fuente:
- ±20 V continuo
- ±30 V transitorio
- Corriente RMS en los terminales de 160 A
- Corriente de drenaje:
- 400 A a 25 °C (IXTX400N20X4)
- 500 A a 25 °C (IXTB500N20X4)
- Intervalo de temperaturas de almacenamiento de -55 °C a 175 °C
Diagrama de pines
Fichas técnicas
View Results ( 2 ) Page
| Número de referencia | Tiempo de caída | Pd (disipación de potencia) | Qg (carga de compuertas) | Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) | Tiempo de establecimiento | Tiempo típico de retraso de apagado | Tiempo de retardo de conexión típico |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTX400N20X4 | 370 ns | 1.36 kW | 348 nC | 3.3 mOhms | 480 ns | 430 ns | 150 ns |
| IXTB500N20X4 | 485 ns | 1.56 kW | 535 nC | 2.65 mOhms | 560 ns | 600 ns | 200 ns |
Publicado: 2025-12-26
| Actualizado: 2026-02-02
