Infineon Technologies MOSFET de potencia de diodo de activación rápida (FD) OptiMOS™
Los dispositivos de potencia de diodo de activación rápida (FD) OptiMOS™ de Infineon son MOSFET de potencia de canal N de última generación de Infineon en opciones de 200 V y 250 V. Estos dispositivos FD OptiMOS de Infineon incluyen Qrr reducido, resistencia de encendido muy baja y temperatura de funcionamiento de 175 ºC. Los MOSFET FD OptiMOS de Infineon están optimizados para la conmutación dura de un diodo de activación y son perfectos para aplicaciones como telecomunicaciones, fuentes de alimentación industriales, amplificaciones de audio Clase D, control de motor e inversores CC/CA.
Características
- N-channel, normal level
- Fast diode (FD) with reduced Qrr
- Optimized for hard commutation ruggedness
- Low ON-resistance RDS(on)
- 175°C maximum operating temperature
- Pb-free lead plating, RoHS compliant
- Qualified, according to JEDEC for target application
- Halogen free, according to IEC61249-2-21
Aplicaciones
- Telecom
- Class D audio amplifiers
- Motor control for 48-110V systems
- Industrial power supplies
- DC/AC inverters
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Publicado: 2014-06-02
| Actualizado: 2022-03-11