MOSFET de potencia de diodo de activación rápida (FD) OptiMOS™

Los dispositivos de potencia de diodo de activación rápida (FD) OptiMOS™ de Infineon son MOSFET de potencia de canal N de última generación de Infineon en opciones de 200 V y 250 V. Estos dispositivos FD OptiMOS de Infineon incluyen Qrr reducido, resistencia de encendido muy baja y temperatura de funcionamiento de 175 ºC. Los MOSFET FD OptiMOS de Infineon están optimizados para la conmutación dura de un diodo de activación y son perfectos para aplicaciones como telecomunicaciones, fuentes de alimentación industriales, amplificaciones de audio Clase D, control de motor e inversores CC/CA.
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