MACOM MMIC basados en HEMT de GaN

Los MMIC (circuitos monolíticos integrados de microondas) basados en HEMT (transistores de alta movilidad de electrones) de GaN (nitruro de galio) de Cree permiten anchos de banda extremadamente amplios en paquetes de tamaño reducido. El GaN tiene propiedades superiores en comparación con el silicio o el arseniuro de galio, incluida una tensión de ruptura superior, mayor velocidad de desviación saturada de electrones y mayor conductividad térmica. Los HEMT de GaN ofrecen una mayor densidad de potencia y anchos de banda más amplios en comparación con transistores de Si y GaAs.