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MOSFET de SiC

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Número de referencia

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

SCTHC250N120G3AG
STMicroelectronics
1: 66,04 €
32En existencias
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SCTHC250N120G3AG

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511-SCTHC250N120G3AG

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STMicroelectronics

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

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66,04 €

52,35 €

44,72 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

STPAK-4

1 Channel

1.2 kV

239 A

8.5 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.4 V

304 nC

- 55 C

+ 200 C

994 W

AEC-Q100

MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

SCTL35N65G2V
STMicroelectronics
1: 15,65 €
2.309En existencias

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SCTL35N65G2V

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511-SCTL35N65G2V

STMicroelectronics

MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

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Cinta extraída

15,65 €

11,11 €

9,67 €

8,22 €

Bobina

8,22 €

MouseReel Disponible

Mín.: 1
Múlt.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

1 Channel

650 V

40 A

67 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

417 W

Enhancement

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

SCT019HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 19,02 €
7En existencias
600Fecha prevista: 05/02/2027
Nuevo producto

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SCT019HU120G3AG

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STMicroelectronics

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

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Cinta extraída

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13,63 €

12,00 €

Bobina

11,02 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

: 600

AEC-Q100

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
1: 19,09 €
630En existencias

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SCT012W90G3-4AG

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STMicroelectronics

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

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630En existencias

19,09 €

11,80 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

HiP247-3

1 Channel

900 V

110 A

15.8 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

138 nC

- 55 C

+ 200 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 22,16 €
540En existencias

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SCT015W120G3-4AG

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511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

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540En existencias

22,16 €

14,27 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

1.2 kV

129 A

15 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

167 nC

- 55 C

+ 200 C

673 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 16,06 €
448En existencias

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SCT018W65G3-4AG

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511-SCT018W65G3-4AG

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MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

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448En existencias

16,06 €

10,44 €

9,72 €

8,61 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 17,40 €
256En existencias
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MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

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600Pedido

17,40 €

10,47 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

Hip247-4

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 200 C

541 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: 16,30 €
247En existencias
600Fecha prevista: 12/03/2027

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SCT025W120G3AG

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STMicroelectronics

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

Más información

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247En existencias

600Fecha prevista: 12/03/2027

16,30 €

10,14 €

9,51 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

HiP247-3

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: 11,70 €
596En existencias
1.000Pedido

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SCT027H65G3AG

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Cinta extraída

11,70 €

6,66 €

6,64 €

Bobina

6,28 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

SCT027W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 12,16 €
246En existencias

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SCT027W65G3-4AG

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511-SCT027W65G3-4AG

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MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

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246En existencias

12,16 €

8,14 €

7,55 €

6,42 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

650 V

60 A

29 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

51 nC

- 55 C

+ 200 C

313 W

Enhancement

AEC-Q100

MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: 10,00 €
487En existencias

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SCT040W65G3-4

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511-SCT040W65G3-4

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MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Más información

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487En existencias

10,00 €

5,48 €

5,11 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

HiP247-4

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 11,54 €
481En existencias

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SCT040W65G3-4AG

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511-SCT040W65G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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481En existencias

11,54 €

7,71 €

7,16 €

6,17 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

HiP247-4

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: 7,87 €
1.404En existencias

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SCT055TO65G3

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511-SCT055TO65G3

STMicroelectronics

MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

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Hoja de datos

1.404En existencias

Cinta extraída

7,87 €

4,31 €

4,03 €

3,73 €

Bobina

3,73 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

: 1.800

SMD/SMT

TOLL-8

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: 14,25 €
22En existencias
1.000Fecha prevista: 29/01/2027

Fabr. N.º Ref.
SCT018H65G3AG

N.º Ref. Mouser
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Más información

Hoja de datos

22En existencias

1.000Fecha prevista: 29/01/2027

Cinta extraída

14,25 €

10,05 €

8,57 €

Bobina

8,00 €

MouseReel Disponible

Mín.: 1
Múlt.: 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 18,15 €
13En existencias
1.200Pedido

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SCT025W120G3-4AG

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511-SCT025W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

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13En existencias

1.200Pedido

18,15 €

12,52 €

11,43 €

10,51 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

SCT040W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 12,10 €
109En existencias
600Fecha prevista: 07/09/2026

Fabr. N.º Ref.
SCT040W120G3-4AG

N.º Ref. Mouser
511-SCT040W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

Más información

Hoja de datos

109En existencias

600Fecha prevista: 07/09/2026

12,10 €

8,94 €

7,33 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q100

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
1: 11,95 €
33En existencias
600Fecha prevista: 07/05/2027

Fabr. N.º Ref.
SCT040W120G3AG

N.º Ref. Mouser
511-SCT040W120G3AG

STMicroelectronics

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

Más información

Hoja de datos

33En existencias

600Fecha prevista: 07/05/2027

11,95 €

8,39 €

6,41 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

HiP-247-3

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT070W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 12,98 €
35En existencias
1.200Fecha prevista: 29/01/2027

Fabr. N.º Ref.
SCT070W120G3-4AG

N.º Ref. Mouser
511-SCT070W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Más información

Hoja de datos

35En existencias

1.200Fecha prevista: 29/01/2027

12,98 €

9,74 €

6,15 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

41 nC

- 55 C

+ 200 C

236 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: 10,41 €
727En existencias

Fabr. N.º Ref.
SCT040H65G3AG

N.º Ref. Mouser
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

Más información

Hoja de datos

727En existencias

Cinta extraída

10,41 €

5,86 €

5,70 €

Bobina

5,39 €

MouseReel Disponible

Mín.: 1
Múlt.: 1

: 1.000

SMD/SMT

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

SCT20N120AG
STMicroelectronics
1: 14,71 €
334En existencias

Fabr. N.º Ref.
SCT20N120AG

N.º Ref. Mouser
511-SCT20N120AG

STMicroelectronics

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

Más información

Hoja de datos

334En existencias

14,71 €

10,43 €

7,77 €

6,97 €

Cotización

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

1 Channel

1.2 kV

20 A

239 mOhms

- 20 V, + 20 V

3.5 V

45 nC

- 55 C

+ 200 C

175 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

SCTL90N65G2V
STMicroelectronics
1: 26,83 €
1.301En existencias

Fabr. N.º Ref.
SCTL90N65G2V

N.º Ref. Mouser
511-SCTL90N65G2V

STMicroelectronics

MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

Más información

Hoja de datos

1.301En existencias

Cinta extraída

26,83 €

19,19 €

19,18 €

18,17 €

Bobina

18,17 €

MouseReel Disponible

Mín.: 1
Múlt.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

1 Channel

650 V

40 A

18 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

157 nC

- 55 C

+ 175 C

935 W

Enhancement

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 19,57 €
5En existencias
1.200Pedido
Nuevo producto

Fabr. N.º Ref.
SCT020HU120G3AG

N.º Ref. Mouser
511-SCT020HU120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

Más información

Hoja de datos

5En existencias

1.200Pedido

Cinta extraída

19,57 €

14,62 €

12,34 €

Bobina

11,18 €

MouseReel Disponible

Mín.: 1
Múlt.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

555 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: 8,82 €
14En existencias
1.800Fecha prevista: 29/01/2027

Fabr. N.º Ref.
SCT040TO65G3

N.º Ref. Mouser
511-SCT040TO65G3

STMicroelectronics

MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

Más información

Hoja de datos

14En existencias

1.800Fecha prevista: 29/01/2027

Cinta extraída

8,82 €

6,21 €

4,61 €

4,30 €

Bobina

4,30 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

: 1.800

SMD/SMT

TOLL-8

1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 12,93 €
5En existencias
600Fecha prevista: 16/04/2027

Fabr. N.º Ref.
SCT055W65G3-4AG

N.º Ref. Mouser
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Más información

Hoja de datos

5En existencias

600Fecha prevista: 16/04/2027

12,93 €

9,85 €

8,82 €

7,15 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

AEC-Q100

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

SCT070H120G3AG
STMicroelectronics
1: 11,64 €
14En existencias

Fabr. N.º Ref.
SCT070H120G3AG

N.º Ref. Mouser
511-SCT070H120G3AG

STMicroelectronics

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

Más información

Hoja de datos

14En existencias

Cinta extraída

11,64 €

6,76 €

6,30 €

Bobina

5,97 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET de SiC

Oficina Atención al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

8.5 mOhms
10.5 mOhms
12 mOhms
15 mOhms
15.8 mOhms
18 mOhms
22 mOhms
26 mOhms
27 mOhms
28 mOhms
29 mOhms
37 mOhms
39.3 mOhms
40 mOhms
54 mOhms
63 mOhms
67 mOhms
72 mOhms
87 mOhms
100 mOhms

14 nC
22 nC
29 nC
31 nC
32 nC
36 nC
37 nC
37.5 nC
39.5 nC
41 nC
42.5 nC
45 nC
48.6 nC
51 nC
54 nC
56 nC
61 nC
73 nC
76 nC
77 nC

120 W
150 W
175 W
185 W
210 W
221 W
223 W
234 W
236 W
240 W
266 W
278 W
288 W
300 W
312 W
313 W
375 W
385 W
388 W
398 W