Transistores RF JFET

Resultados: 20
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tipo de transistor Tecnología Frecuencia de operación Ganancia Vds (Tensión separación drenador-fuente) Vgs (tensión de separación compuerta-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Empaquetado
Qorvo Transistores RF JFET 0.40 mm Pwr pHEMT 300En existencias
Mín.: 100
Múlt.: 100
: 100

pHEMT GaAs 13 dB 0.41 mm x 0.34 mm Reel
Qorvo Transistores RF JFET 0.80mm Pwr pHEMT 100En existencias
Mín.: 100
Múlt.: 100
: 100

pHEMT Reel
Qorvo Transistores RF JFET 1.20mm Pwr pHEMT 100En existencias
Mín.: 100
Múlt.: 100

pHEMT Tray
Qorvo Transistores RF JFET 1.60mm Pwr pHEMT 100En existencias
Mín.: 100
Múlt.: 100
: 100

pHEMT Reel
CEL Transistores RF JFET 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C 140En existencias
3.000Fecha prevista: 24/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

pHEMT GaAs 20 GHz 11.9 dB 3 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
Qorvo Transistores RF JFET 0.25 mm Pwr pHEMT 200En existencias
Mín.: 100
Múlt.: 100
: 100

pHEMT Reel
Qorvo Transistores RF JFET 0.18 mm Pwr pHEMT 100En existencias
Mín.: 100
Múlt.: 100
: 100

pHEMT GaAs 14 dB SMD/SMT 0.41 mm x 0.34 mm Reel
Qorvo Transistores RF JFET 0.60 mm Pwr pHEMT 100En existencias
Mín.: 100
Múlt.: 100
: 100

pHEMT Reel
CEL Transistores RF JFET 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C 15.329En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 10.000

pHEMT GaAs 24 GHz 13.8 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT MICRO-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL Transistores RF JFET RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 2.610En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

pHEMT Si 12 GHz 14.1 dB 2 V - 400 mV 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
CEL Transistores RF JFET RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 12.202En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 15.000

Si 12 GHz 14.1 dB 2 V - 400 mV 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL Transistores RF JFET 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 4.584En existencias
10.000Fecha prevista: 18/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 10.000

pHEMT GaAs 12 GHz 13.7 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT MICRO-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL Transistores RF JFET 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 9.575En existencias
11.000Fecha prevista: 19/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 15.000

pHEMT GaAs 12 GHz 12.2 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL Transistores RF JFET 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 996En existencias
3.830Fecha prevista: 19/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

pHEMT GaAs 12 GHz 13.7 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT MICRO-X-4 Bulk
CEL Transistores RF JFET 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 22En existencias
3.000Fecha prevista: 03/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

pHEMT GaAs 12 GHz 12.2 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
CEL CE3520K3
CEL Transistores RF JFET 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C 270En existencias
2.000Fecha prevista: 19/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

pHEMT GaAs Bulk
CEL Transistores RF JFET 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 15.000
Múlt.: 15.000
: 15.000

pHEMT GaAs 20 GHz 11.9 dB 3 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel
CEL CE7530K2-C1
CEL Transistores RF JFET No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 10.000
Múlt.: 10.000
: 10.000

Reel
CEL CE7531K3-C1
CEL Transistores RF JFET No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 10.000
Múlt.: 10.000
: 10.000

Reel
MACOM CGHV1J070D-GP5
MACOM Transistores RF JFET DIE, 70W, 18.0GHz, GaN HEMT, GP5, 510438
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50