Resultados: 36
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5
Hoja de datos
2.043En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 550 V 13 A 240 mOhms 25 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
Hoja de datos
1.667En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.5 A 430 mOhms 25 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V
Hoja de datos
958En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 190 mOhms 25 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
Hoja de datos
643En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 45 mOhms 25 V 3 V 143 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 Volt 33 Amp
Hoja de datos
476En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
Hoja de datos
1.718En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
Hoja de datos
728En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 148 mOhms 25 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
Hoja de datos
400En existencias
1.000Fecha prevista: 05/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5
Hoja de datos
4.523En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 84 A 29 mOhms 25 V 3 V 204 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 65V 12A MDMESH
Hoja de datos
5.782En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 279 mOhms 25 V 4 V 31 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
Hoja de datos
1.953En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 95 mOhms 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
Hoja de datos
372En existencias
2.550Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 78 mOhms 25 V 3 V 82 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
Hoja de datos
1.372En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 63 mOhms 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
Hoja de datos
253En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 45 mOhms 25 V 3 V 143 nC - 55 C + 150 C 79 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
Hoja de datos
1.800En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.9 A 148 mOhms 25 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
Hoja de datos
326En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 63 mOhms 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS
Hoja de datos
881En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 480 mOhms 25 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh
Hoja de datos
251En existencias
2.000Fecha prevista: 12/03/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.9 A 148 mOhms 30 W MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V MDMesh
Hoja de datos
328En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 125 mOhms 25 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 Volt 33 Amp
Hoja de datos
251En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET
Hoja de datos
214En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9.4 A 220 mOhms 25 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V 22 A
Hoja de datos
5En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 139 mOhms 25 V 5 V 64 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
Hoja de datos
47En existencias
1.200Fecha prevista: 29/01/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 78 mOhms 25 V 3 V 82 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A
Hoja de datos
651Fecha prevista: 04/06/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 130 A 17 mOhms 25 V 3 V 363 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5
Hoja de datos
4.122Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 138 A 15 mOhms 25 V 4 V 414 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube