200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and RDS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Resultados: 26
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Empaquetado

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
Hoja de datos
23.388En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg
Hoja de datos
7.819En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 100 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IRFB4332PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET TRENCH >=100V
Hoja de datos
1.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
Hoja de datos
1.029En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 250 V 93 A 17.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
Hoja de datos
1.479En existencias
5.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 200 V 76 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 69 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
Hoja de datos
36.736En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 44.7 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4227PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V 1.038En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Tube
Infineon Technologies IRFB4227PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V 5.369En existencias
4.000Fecha prevista: 04/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Tube
Infineon Technologies IRFB4229PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
Hoja de datos
932En existencias
1.000Fecha prevista: 03/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 250 V 46 A 46 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 72 nC - 40 C + 175 C 330 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4668PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
Hoja de datos
14.713En existencias
8.800Fecha prevista: 14/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 200 V 130 A 9.7 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 161 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
Hoja de datos
8.742En existencias
36.800Pedido
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 44.7 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8
Hoja de datos
2.542En existencias
4.000Fecha prevista: 07/01/2027
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 200 V 3.7 A 78 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 28 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
Hoja de datos
4.319En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 54 mOhms - 30 V, 30 V 1.8 V 91 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
Hoja de datos
8.453En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 18 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
Hoja de datos
Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 30 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
Hoja de datos
4.485En existencias
3.200Fecha prevista: 07/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
Hoja de datos
7.110En existencias
15.000Fecha prevista: 10/09/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 24 A 78 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 25 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg
Hoja de datos
4.250En existencias
6.400Fecha prevista: 20/08/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 62 A 26 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 70 nC - 40 C + 175 C 330 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg
Hoja de datos
2.961En existencias
3.200Fecha prevista: 05/08/2027
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 45 A 48 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 72 nC - 40 C + 175 C 330 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
Hoja de datos
6.041En existencias
20.800Fecha prevista: 28/01/2027
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 24 A 77.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 38 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
Hoja de datos
3.125En existencias
2.400Fecha prevista: 03/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 30 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC
Hoja de datos
9.437En existencias
12.000Fecha prevista: 28/01/2027
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 200 V 600 mA 2.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 3.9 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IRFP4229PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
Hoja de datos
504En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 250 V 44 A 46 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 72 nC - 40 C + 175 C 310 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
Hoja de datos
483En existencias
2.400Fecha prevista: 14/09/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 54 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 60 nC - 55 C + 175 C 320 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
Hoja de datos
108En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 9.3 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 23.3 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement Tube