650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC M1 MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high temperatures and harsh operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency. 

Resultados: 26
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
653En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 30 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 67 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
437En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
432En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
753En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 141 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 35 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
861En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.019En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
434En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
91En existencias
1.200Fecha prevista: 17/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 59 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
335En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 50 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
671En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 346 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.224En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 62 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
132En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
55En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
312En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 19 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
40En existencias
240Fecha prevista: 07/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.995Fecha prevista: 03/09/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.000Fecha prevista: 17/09/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 217 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 27 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
480Fecha prevista: 29/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 48 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
2.160Fecha prevista: 07/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 50 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
473Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
254En existencias
240Fecha prevista: 27/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 48 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement


Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 51 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 44 nC - 55 C + 175 C 126 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC