MOSFET de SiC – Mouser España

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650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC M1 MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high temperatures and harsh operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.

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Imagen	Número de referencia	Fabr.	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.	Cant.	Estilo de montaje	Empaquetado / Estuche	Número de canales	Vds (Tensión separación drenador-fuente)	Id: corriente de drenaje continuo	Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)	Vgs (tensión de compuerta-fuente)	Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)	Qg (carga de compuertas)	Temperatura operativa mínima	Temperatura operativa máxima	Pd (disipación de potencia)	Modo canal	Nombre comercial
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R057M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 8,08 € 1.995En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG65R057M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG65R057M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	1.995En existencias	Cinta extraída 8,08 € 4,70 € 4,34 € 4,07 € Bobina 3,87 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	39 A	74 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	161 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R039M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,00 € 335En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMZA65R039M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZA65R039M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	335En existencias	8,00 € 5,61 € 5,25 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	50 A	50 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	176 W	Enhancement
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R022M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 15,67 € 143En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG65R022M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG65R022M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	143En existencias	Cinta extraída 15,67 € 9,68 € 9,41 € Bobina 9,16 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	64 A	30 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	67 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R163M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 5,36 € 1.000En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG65R163M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG65R163M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	1.000En existencias	Cinta extraída 5,36 € 2,83 € 2,09 € 2,08 € Bobina 2,08 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	17 A	217 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	85 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R107M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 5,80 € 753En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG65R107M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG65R107M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	753En existencias	Cinta extraída 5,80 € 3,40 € 3,10 € 2,92 € Bobina 2,80 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	24 A	141 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	35 nC	- 55 C	+ 175 C	110 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R048M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 8,72 € 1.019En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG65R048M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG65R048M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	1.019En existencias	Cinta extraída 8,72 € 4,82 € 4,52 € 4,45 € Bobina 4,28 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	45 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	183 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R072M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 6,39 € 861En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG65R072M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG65R072M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	861En existencias	Cinta extraída 6,39 € 4,02 € 3,68 € 3,47 € Bobina 3,43 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	33 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	140 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 12,57 € 1.701En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMW65R027M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	1.701En existencias	12,57 € 7,56 € 7,46 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 9,25 € 339En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMW65R048M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW65R048M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	339En existencias	9,25 € 5,03 € 4,65 € 4,62 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,95 € 298En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMZA65R048M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	298En existencias	8,95 € 5,15 € 4,77 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R260M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 4,39 € 654En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG65R260M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG65R260M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	654En existencias	Cinta extraída 4,39 € 2,28 € 2,07 € 1,81 € Bobina 1,71 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	6 A	346 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,85 € 314En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMW65R072M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW65R072M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	314En existencias	6,85 € 3,93 € 3,66 € 3,52 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	26 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,51 € 463En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMW65R107M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW65R107M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	463En existencias	6,51 € 3,41 € 3,14 € 2,90 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	142 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,04 € 128En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMZA65R057M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZA65R057M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	128En existencias	8,04 € 4,62 € 4,12 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	35 A	74 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	133 W	Enhancement
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,35 € 14En existencias 720Fecha prevista: 30/11/2026 NRND	Fabr. N.º Ref. IMW65R083M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW65R083M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	14En existencias 720Fecha prevista: 30/11/2026	6,35 € 4,02 € 3,77 € 3,45 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	24 A	111 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	104 W	Enhancement
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 13,68 € 17En existencias 3.600Pedido NRND	Fabr. N.º Ref. IMZA65R027M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZA65R027M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	17En existencias 3.600Pedido	13,68 € 7,75 € 7,68 € 7,67 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	59 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 12,66 € 175En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMZA65R030M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZA65R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	175En existencias	12,66 € 7,11 € 6,95 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	53 A	42 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	48 nC	- 55 C	+ 175 C	197 W	Enhancement
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R030M1HXTMA1 Infineon Technologies 1.000: 6,29 € No en almacén Plazo producción 52 Semanas NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG65R030M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG65R030M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	No en almacén Plazo producción 52 Semanas	Bobina 6,29 €	Mín.: 1.000 Múlt.: 1.000 : 1.000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	63 A	42 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	49 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R039M1HXTMA1 Infineon Technologies 1.000: 5,30 € No en almacén Plazo producción 52 Semanas NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG65R039M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG65R039M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	No en almacén Plazo producción 52 Semanas	Bobina 5,30 €	Mín.: 1.000 Múlt.: 1.000 : 1.000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	54 A	51 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	211 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R083M1HXTMA1 Infineon Technologies 1.000: 3,34 € No en almacén Plazo producción 52 Semanas NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG65R083M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG65R083M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	No en almacén Plazo producción 52 Semanas	Bobina 3,34 €	Mín.: 1.000 Múlt.: 1.000 : 1.000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	28 A	111 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	44 nC	- 55 C	+ 175 C	126 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 12,46 € Plazo producción 52 Semanas NRND	Fabr. N.º Ref. IMW65R030M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW65R030M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	Plazo producción 52 Semanas	12,46 € 6,99 € 6,73 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	58 A	42 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	48 nC	- 55 C	+ 175 C	197 W	Enhancement
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R039M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 10,05 € No en almacén Plazo producción 52 Semanas NRND	Fabr. N.º Ref. IMW65R039M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW65R039M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	No en almacén Plazo producción 52 Semanas	10,05 € 5,51 € 5,11 € 5,08 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	46 A	50 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	176 W	Enhancement
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,68 € No en almacén Plazo producción 52 Semanas NRND	Fabr. N.º Ref. IMW65R057M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW65R057M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	No en almacén Plazo producción 52 Semanas	8,68 € 5,32 € 4,42 € 4,05 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	35 A	74 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	133 W	Enhancement
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 7,53 € No en almacén Plazo producción 52 Semanas NRND	Fabr. N.º Ref. IMZA65R072M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZA65R072M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	No en almacén Plazo producción 52 Semanas	7,53 € 4,43 € 3,67 € 3,66 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	28 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies 240: 3,90 € No en almacén Plazo producción 52 Semanas NRND	Fabr. N.º Ref. IMZA65R083M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZA65R083M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	No en almacén Plazo producción 52 Semanas	3,90 € 3,41 €	Mín.: 240 Múlt.: 240	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	26 A	111 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	104 W	Enhancement

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