CoolSiC™ 750V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2 Silicon Carbide MOSFETs are designed to offer high efficiency, robustness against parasitic turn-on for unipolar gate driving, and reliability. These MOSFETs offer superior performance in Totem Pole, ANPC, Vienna rectifier, and FCC hard-switching topologies. The reduction in Output Capacitance (Coss) enables the MOSFETs to operate at higher switching frequencies in Cycloconverter, CLLC, DAB, and LLC soft switching topologies. The CoolSiC™ 750V G2 MOSFETs feature up to 78mΩ maximum drain-source on-resistance and switching losses through improved gate control. These MOSFETs are automotive and industrial qualified. Typical applications include EV charging infrastructure, telecom, circuit breakers, solid state relays, solar PV inverters, and HV‑LV DC-DC converters.

Resultados: 30
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
234En existencias
8.250Pedido
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 840 V 222 A 8.5 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 171 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
167En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 198 A 9 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
1.046En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 64 A 31 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
1.052En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 50 A 41.3 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
1.098En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 34 A 65 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2 in D2PAK 7pin, Q-DPAK TSC and TO247 4pin automotive and industrial qualified
Hoja de datos
521En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 1 Channel 750 V 53 A 41.3 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2 in D2PAK 7pin, Q-DPAK TSC and TO247 4pin automotive and industrial qualified
Hoja de datos
824En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2 in D2PAK 7pin, Q-DPAK TSC and TO247 4pin automotive and industrial qualified
Hoja de datos
1.080En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 1 Channel 750 V 36 A 65 mhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SiC MOSFET, 750 V
Hoja de datos
393En existencias
240Fecha prevista: 09/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 172 A 9 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 483 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SiC MOSFET, 750 V
Hoja de datos
464En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 116 A 13.8 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 106 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SiC MOSFET, 750 V
Hoja de datos
340En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 72 A 25 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 59 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SiC MOSFET, 750 V
Hoja de datos
391En existencias
1.200Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 60 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 202 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SiC MOSFET, 750 V
Hoja de datos
446En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 47 A 65.6 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SiC MOSFET, 750 V
Hoja de datos
338En existencias
240Fecha prevista: 23/09/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 40 A 80 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SiC MOSFET, 750 V
Hoja de datos
490En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 32 A 104 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 122 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SiC MOSFET, 750 V
Hoja de datos
500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 124 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 108 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SiC MOSFET, 750V, G2, 11 m
Hoja de datos
32En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 129 A 22 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 106 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SiC MOSFET, 750V, G2, 16 m
Hoja de datos
40En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 93 A 32 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 74 nC - 55 C + 175 C 318 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SiC MOSFET, 750V, G2, 20 m
Hoja de datos
40En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 79 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 282 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
159En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 42 A 50 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
156En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 29 A 78 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Hoja de datos
494En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 840 V 70 A 31 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 272 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Hoja de datos
657En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 840 V 30 A 78 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
696En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 840 V 103 A 20 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 74 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
236En existencias
1.500Fecha prevista: 07/09/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 840 V 70 A 31 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 272 W Enhancement CoolSiC