AEC-Q101 SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power MOSFETs are ideal for automotive and switch-mode power supplies. The SiC Power MOSFETs can boost switching frequency, decreasing the volumes of capacitors, reactors, and other components required. AEC-Q101 SiC Power MOSFETs offer excellent reductions in size and weight within various drive systems, such as inverters and DC-DC converters in vehicles. Vehicle batteries are trending towards larger capacities with shorter charging times. This demands high power and efficiency on board chargers such as 11kW and 22kW. This leads to increased adoption of SiC MOSFETs. The AEC-Q101 SiC Power MOSFETs meet the needs of electronic vehicles and utilize a trench gate structure. The future design of ROHM's SiC MOSFETs endeavors to improve quality, strengthen its lineup to increase device performance, reduce power consumption, and achieve greater miniaturization.

Resultados: 34
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
Hoja de datos
651En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 43 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
Hoja de datos
345En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 72 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 131 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
Hoja de datos
701En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
Hoja de datos
460En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 55 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N
Hoja de datos
366En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
Hoja de datos
199En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 95 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 178 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
Hoja de datos
1.619En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 24 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
Hoja de datos
453En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 43 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N
Hoja de datos
351En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 650 V 118 A 22.1 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 172 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO263 750V 51A N-CH SIC
Hoja de datos
1.902En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
Hoja de datos
450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 103 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO263 750V 31A N-CH SIC
Hoja de datos
301En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
Hoja de datos
1.201En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 24 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 93 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N
Hoja de datos
366En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 650 V 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N
Hoja de datos
171En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 80 mOhms - 4 V, + 22 V 2.7 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO247 750V 34A N-CH SIC
Hoja de datos
311En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO247 750V 56A N-CH SIC
Hoja de datos
787En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
Hoja de datos
499En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
Hoja de datos
428En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO247 750V 34A N-CH SIC
Hoja de datos
810En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO247 750V 34A N-CH SIC
Hoja de datos
750En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
Hoja de datos
99En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 43 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO263 750V 51A N-CH SIC
Hoja de datos
547En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO263 750V 31A N-CH SIC
Hoja de datos
1.996En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
Hoja de datos
740En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 24 A 62 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 93 W Enhancement