Diodos Schottky de carburo de silicio de alta potencia

Los diodos SCHOTTKY de carburo de silicio (SiC) de potencia de Vishay Semiconductors son rectificadores avanzados de alto rendimiento diseñados para ofrecer una eficiencia, robustez y fiabilidad excepcionales en aplicaciones exigentes de electrónica de potencia. Fabricados con tecnología de banda prohibida ancha de SiC, estos diodos de Vishay ofrecen una carga de recuperación inversa prácticamente nula, una capacidad de conmutación extremadamente rápida y un rendimiento invariable con la temperatura, lo que los hace ideales para los sistemas de conversión de energía de alta frecuencia de última generación.

Resultados: 45
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Hoja de datos
990Fecha prevista: 23/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12T-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Hoja de datos
1.000Fecha prevista: 23/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12THM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Hoja de datos
925Fecha prevista: 11/01/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07T-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Hoja de datos
1.000Fecha prevista: 05/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2473L
Hoja de datos
475Fecha prevista: 08/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C30CP07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2473L
Hoja de datos
490Fecha prevista: 05/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C30CP07LHM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2472L
Hoja de datos
475Fecha prevista: 23/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30EP12L-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2472L
Hoja de datos
500Fecha prevista: 23/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30EP12LHM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Hoja de datos
794Fecha prevista: 23/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Hoja de datos
800Fecha prevista: 23/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Hoja de datos
1.000Fecha prevista: 23/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12T-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Hoja de datos
1.000Fecha prevista: 23/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12THM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Hoja de datos
735Fecha prevista: 25/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 4C08ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Hoja de datos
800Fecha prevista: 23/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 4C08ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Hoja de datos
925Fecha prevista: 23/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C VS-4C08ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Hoja de datos
1.000Fecha prevista: 23/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C VS-4C08ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2472L
Hoja de datos
500Fecha prevista: 08/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 10 A 1.2 kV 1.34 V 50 A 162 uA - 55 C + 175 C VS-4C10EP12L-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Hoja de datos
800Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2472L
Hoja de datos
500Fecha prevista: 08/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16EP07LHM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Hoja de datos
780Fecha prevista: 12/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape