Diodos Schottky de carburo de silicio de alta potencia

Los diodos SCHOTTKY de carburo de silicio (SiC) de potencia de Vishay Semiconductors son rectificadores avanzados de alto rendimiento diseñados para ofrecer una eficiencia, robustez y fiabilidad excepcionales en aplicaciones exigentes de electrónica de potencia. Fabricados con tecnología de banda prohibida ancha de SiC, estos diodos de Vishay ofrecen una carga de recuperación inversa prácticamente nula, una capacidad de conmutación extremadamente rápida y un rendimiento invariable con la temperatura, lo que los hace ideales para los sistemas de conversión de energía de alta frecuencia de última generación.

Resultados: 45
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Vr - Tensión inversa
Serie
Empaquetado
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Hoja de datos
975En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C 650 V VS-4C12ET07T-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Hoja de datos
970En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C 650 V VS-4C12ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Hoja de datos
548En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C20ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Hoja de datos
812En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C20ET07T-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Hoja de datos
1.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C20ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Hoja de datos
639En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C30ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Hoja de datos
584En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C30ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Hoja de datos
940En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C30ET07T-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Hoja de datos
1.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C30ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2473L
Hoja de datos
422En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C40CP07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2473L
Hoja de datos
475En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C40CP07LHM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Hoja de datos
639En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 6 A 650 V 1.3 V 39 A 35 uA - 55 C + 175 C 650 V 4C06ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Hoja de datos
716En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 6 A 650 V 1.3 V 39 A 35 uA - 55 C + 175 C 650 V 4C06ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2473L
Hoja de datos
460En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 10 A 650 V 1.3 V 60 A 50 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C20CP07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2473L
Hoja de datos
455En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 10 A 650 V 1.3 V 60 A 50 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C20CP07LHM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Hoja de datos
444En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C20ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2473L
Hoja de datos
425En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Single 30 A 650 V 1,33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C30E3P07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Hoja de datos
560En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C 650 V VS-4C12ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2472L
Hoja de datos
500Fecha prevista: 19/03/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 10 A 1.2 kV 1.34 V 50 A 162 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C10EP12LHM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2472L
Hoja de datos
490Fecha prevista: 06/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C15EP12L-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2472L
Hoja de datos
500Fecha prevista: 06/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C15EP12LHM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Hoja de datos
800Fecha prevista: 06/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C15ET12S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Hoja de datos
800Fecha prevista: 06/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C15ET12S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Hoja de datos
990Fecha prevista: 06/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C15ET12T-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Hoja de datos
1.000Fecha prevista: 06/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C15ET12THM3 Tube