650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon (Si). These 650V SiC MOSFETs have low ON resistance and a compact chip size to ensure low capacitance and gate charge. Benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
618En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 163 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 643 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
380En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

TO-247-4 EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
444En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

TO-247-4 EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
864En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
TO-247-4 EliteSiC