650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon (Si). These 650V SiC MOSFETs have low ON resistance and a compact chip size to ensure low capacitance and gate charge. Benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Resultados: 29
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V 1.282En existencias
Cinta extraída
20,14 €
15,04 €
13,00 €
11,66 €
Bobina
11,66 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S 23En existencias
4.950Fecha prevista: 25/06/2027
10,72 €
6,93 €
5,38 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 40 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 262 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V 1.589En existencias
10,41 €
7,21 €
7,06 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V 372En existencias
9,41 €
6,11 €
5,79 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 18 V, + 18 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V 312En existencias
Cinta extraída
10,55 €
5,94 €
5,80 €
5,49 €
Bobina
5,49 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V 1.046En existencias
16,46 €
11,64 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V 425En existencias
11,38 €
6,79 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 66 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V 497En existencias
8,72 €
5,79 €
5,45 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V 449En existencias
17,98 €
11,79 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V 766En existencias
9,37 €
5,36 €
4,98 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V 418En existencias
Cinta extraída
16,62 €
10,44 €
9,88 €
Bobina
9,88 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V 453En existencias
Cinta extraída
33,30 €
25,16 €
25,14 €
23,81 €
Bobina
23,81 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V 794En existencias
Cinta extraída
11,09 €
7,25 €
6,91 €
6,86 €
Bobina
6,86 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 121 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V 202En existencias
24,74 €
17,37 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S 752En existencias
Cinta extraída
8,20 €
4,51 €
4,17 €
3,94 €
Bobina
3,94 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 52 A 44 mOhms - 10 V, + 22.6 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S 504En existencias
9,04 €
4,98 €
4,97 €
4,68 €
4,43 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 50 A 44 mOhms - 10 V, + 22.6 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V 421En existencias
8,54 €
4,71 €
4,15 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 105 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 129 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 32MOHM 650V M3S 2.818En existencias
8,73 €
4,82 €
4,27 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 51 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S 722En existencias
Cinta extraída
14,01 €
8,38 €
7,93 €
Bobina
7,93 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 70 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S 800En existencias
Cinta extraída
12,40 €
7,16 €
6,77 €
Bobina
6,77 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 52 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S 400En existencias
17,70 €
11,07 €
10,72 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 67 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 245 W Enhancement
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S 396En existencias
13,16 €
7,42 €
7,31 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 50 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S 250En existencias
14,40 €
8,36 €
8,21 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 70 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V 2.232En existencias
Cinta extraída
27,99 €
22,41 €
19,38 €
18,35 €
Bobina
17,15 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V 380En existencias
34,13 €
24,58 €
24,56 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
TO-247-4 EliteSiC