MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen las innovaciones más recientes y el rendimiento más elevado. La familia OptiMOS 6 utiliza una tecnología de lámina fina que permite obtener beneficios importantes en el rendimiento. En comparación con productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen un RDS(ON) un 30 % inferior y están optimizados para rectificación síncrona.

Resultados: 109
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V 665En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 171 A 2.5 mOhms 20 V 3.5 V 80 V - 55 C + 175 C 167 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 10.598En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8FL N-Channel 1 Channel 120 V 163 A 3.7 mOhms 20 V 3.6 V 46 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 8.792En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 23 mOhms 20 V 3.3 V 7.4 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 8.652En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 59 A 6.3 mOhms 16 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 1.432En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-5 N-Channel 1 Channel 40 V 250 A 700 uOhms 20 V 2.6 V 127 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V 63En existencias
6.000Fecha prevista: 13/05/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 6.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 1.572En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 74 A 5 mOhms 16 V 3 V 13 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 889En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin 900En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL 858En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance 3.936En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 166 A 2.05 mOhms 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance 4.712En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 6.000

Si SMD/SMT WTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 166 A 2.05 mOhms 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V 3.648En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 127 A 3.15 mOhms 20 V 2.3 V 33 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V 6.252En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 6.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V 7.929En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 344 A 900 uOhms 20 V 3.3 V 97 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V 700En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 170 A 2.5 mOhms 20 V 3.5 V 46 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V 3.896En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 137 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 32 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220 470En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V 900En existencias
12.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 6.000

Si SMD/SMT PG-WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 127 A 3.15 mOhms 20 V 2.3 V 26 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V 783En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V 216En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V 2.506En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 62 A 6 mOhms 20 V 3.3 V 12.4 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12) 6.967En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 245 A 2.5 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15) 3.928En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT PG-HDSOP-16-1 N-Channel 1 Channel 150 V 245 A 2.5 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package 1.708En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole PG-TO220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 178 A 3.6 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Tube