Tipos de Semiconductores discretos

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Resultados: 33
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V 641En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 20

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3 1.036En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 20

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V 3.296En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SiC MOSFETS SiC SMD/SMT D2PAK-7

onsemi Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L 406En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 20

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2

onsemi Diodos Schottky de SiC 650V 6A SIC SBD GEN1.5 2.041En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 80
: 2.500

SiC Schottky Diodes SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
onsemi Diodos Schottky de SiC SIC SBD GEN1.5 650V 8A PQFM88 2.970En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT PQFN-4
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS 20MOHM 900V 1.859En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT D2PAK-7

onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V SiC SBD 30A 511En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V 202En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
onsemi Diodos Schottky de SiC 650V 10A SIC GEN1.5 456En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D2PAK-2
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TOLL 650V 1.364En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PSOF-8

onsemi MOSFET de SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L 764En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 60

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
onsemi IGBT 1200V/75A FS7 IGBT TP247 613En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
onsemi Módulos MOSFET 8M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE 14En existencias
20Fecha prevista: 14/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFET Modules SiC Press Fit PIM-29
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3 1.075En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 800
: 800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT D2PAK-7

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 14MOHM 1200V 471En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 10

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS PQFN88 650V 5.818En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TDFN-4

onsemi IGBT 1200V, 40A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 269En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
onsemi IGBT 1200V, 40A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT Fast Switching 383En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

onsemi IGBT 1200V, 60A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 22MOHM 1200V M3 110En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
onsemi Diodos Schottky de SiC SIC TO263 SBD 20A 1 200V 1.130En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D2PAK-3

onsemi IGBT FS4 T TO247 50A 650V 4L 678En existencias
450Fecha prevista: 06/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
onsemi Diodos Schottky de SiC 650V 6A SIC SBD GEN1.5 708En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D2PAK-2

onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V 10A SIC SBD 309En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2