MOSFET de SiC – Mouser España

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CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.

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Imagen	Número de referencia	Fabr.	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.	Cant.	Estilo de montaje	Empaquetado / Estuche	Número de canales	Vds (Tensión separación drenador-fuente)	Id: corriente de drenaje continuo	Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)	Vgs (tensión de compuerta-fuente)	Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)	Qg (carga de compuertas)	Temperatura operativa mínima	Temperatura operativa máxima	Pd (disipación de potencia)	Modo canal	Nombre comercial
MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 6,35 € 825En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG120R090M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG120R090M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	825En existencias	Cinta extraída 6,35 € 4,06 € 3,73 € 3,67 € Bobina 3,41 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	26 A	125 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 11,42 € 617En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG120R045M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG120R045M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	617En existencias	Cinta extraída 11,42 € 7,09 € 6,68 € 6,36 € Bobina 6,22 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	47 A	45 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,00 € 368En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMZ120R140M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZ120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	368En existencias	6,00 € 4,26 € 3,66 € 3,44 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 8,19 € 303En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG120R060M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG120R060M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	303En existencias	Cinta extraída 8,19 € 4,88 € 4,58 € 4,39 € Bobina 4,33 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	36 A	83 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	181 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 5,72 € 240En existencias Descatalogado	Fabr. N.º Ref. IMZA65R107M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZA65R107M1HXKS Descatalogado	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET	Hoja de datos	240En existencias	5,72 € 3,65 € 3,46 € 3,45 € 3,22 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	20 A	142 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 13,78 € 2.509En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG120R030M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG120R030M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	2.509En existencias	Cinta extraída 13,78 € 8,20 € Bobina 7,76 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	56 A	41 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	63 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R450M1XTMA1 Infineon Technologies 1: 6,50 € 6.934En existencias 3.000Fecha prevista: 29/07/2027	Fabr. N.º Ref. IMBF170R450M1XTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBF170R450M1XTM	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Más información sobre Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Hoja de datos	6.934En existencias 3.000Fecha prevista: 29/07/2027	Cinta extraída 6,50 € 3,53 € 3,24 € 3,07 € Bobina 2,74 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 Máx.: 1.000 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	9.8 A	450 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	11 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 6,46 € 3.844En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG120R140M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG120R140M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	3.844En existencias	Cinta extraída 6,46 € 3,47 € 3,17 € 3,16 € Bobina 2,87 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	18 A	189 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	13.4 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 12,87 € 1.731En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMW65R027M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	1.731En existencias	12,87 € 8,01 € 7,46 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 9,25 € 361En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMW65R048M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW65R048M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	361En existencias	9,25 € 5,03 € 4,65 € 4,62 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 9,17 € 880En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMZ120R060M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZ120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	880En existencias	9,17 € 5,62 € 5,19 € 4,91 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	36 A	78 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 13,51 € 967En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMZA65R027M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZA65R027M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	967En existencias	13,51 € 7,75 € 7,69 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	59 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,94 € 309En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMZA65R048M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	309En existencias	8,94 € 5,15 € 4,77 € 4,76 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 5,62 € 2.469En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG120R220M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG120R220M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	2.469En existencias	Cinta extraída 5,62 € 2,98 € 2,66 € Bobina 2,38 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	13 A	294 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	9.4 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 4,95 € 1.430En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG120R350M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG120R350M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	1.430En existencias	Cinta extraída 4,95 € 2,60 € 2,37 € 2,13 € Bobina 2,13 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 Máx.: 500 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	468 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	5.9 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,20 € 866En existencias 240Fecha prevista: 16/10/2026 NRND	Fabr. N.º Ref. IMW120R090M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	866En existencias 240Fecha prevista: 16/10/2026	8,20 € 4,42 € 4,08 € 3,69 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	26 A	117 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 5,60 € 3.907En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMW120R220M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	3.907En existencias	5,60 € 3,19 € 2,92 € 2,76 € 2,67 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	13 A	289 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 7,11 € 314En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMW65R072M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW65R072M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	314En existencias	7,11 € 4,04 € 3,72 € 3,56 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	26 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,51 € 473En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMW65R107M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW65R107M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	473En existencias	6,51 € 3,41 € 3,14 € 2,90 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	142 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,31 € 960En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMZ120R090M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZ120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	960En existencias	8,31 € 4,70 € 4,34 € 3,98 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	26 A	117 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon Technologies 1: 4,59 € 19En existencias 25.000Pedido	Fabr. N.º Ref. IMBF170R1K0M1XTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBF170R1K0M1XTM	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Más información sobre Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Hoja de datos	19En existencias 25.000Pedido En las fechas de envío del pedido Fabr. N.º: IMBF170R1K0M1XTMA1 Existencias: 19 Puede enviarse inmediatamente Pedido: 2.000 Fecha prevista: 07/01/2027 23.000 Por determinar Plazo de producción de fábrica: 60 Semanas	Cinta extraída 4,59 € 2,43 € 2,22 € 1,93 € Bobina 1,80 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	5.2 A	1 Ohms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	5 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R650M1XTMA1 Infineon Technologies 1: 5,56 € 57En existencias 2.000Pedido	Fabr. N.º Ref. IMBF170R650M1XTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBF170R650M1XTM	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Más información sobre Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Hoja de datos	57En existencias 2.000Pedido	Cinta extraída 5,56 € 2,94 € 2,67 € 2,43 € Bobina 2,16 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	7.4 A	650 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	8 nC	- 55 C	+ 175 C	88 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 15,00 € 480Fecha prevista: 26/10/2026 NRND	Fabr. N.º Ref. IMW120R030M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	480Fecha prevista: 26/10/2026	15,00 € 9,22 € 8,32 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	40 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,32 € 23En existencias 240Fecha prevista: 05/11/2026 NRND	Fabr. N.º Ref. IMW120R140M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	23En existencias 240Fecha prevista: 05/11/2026	6,32 € 3,67 € 3,37 € 3,16 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	3.5 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 5,07 € 53En existencias 960Fecha prevista: 10/12/2026 NRND	Fabr. N.º Ref. IMW120R350M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	53En existencias 960Fecha prevista: 10/12/2026	5,07 € 2,69 € 2,49 € 2,28 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	455 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	5.3 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolSiC