MOSFET de SiC – Mouser España

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CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.

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Imagen	Número de referencia	Fabr.	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.	Cant.	Estilo de montaje	Empaquetado / Estuche	Número de canales	Vds (Tensión separación drenador-fuente)	Id: corriente de drenaje continuo	Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)	Vgs (tensión de compuerta-fuente)	Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)	Qg (carga de compuertas)	Temperatura operativa mínima	Temperatura operativa máxima	Pd (disipación de potencia)	Modo canal	Nombre comercial
MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 5,42 € 368En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMZ120R140M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZ120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	368En existencias	5,42 € 3,76 € 3,51 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 6,02 € 775En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG120R090M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG120R090M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	775En existencias	Cinta extraída 6,02 € 4,15 € 3,74 € 3,56 € Bobina 3,50 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	26 A	125 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 5,73 € 2.404En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG120R220M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG120R220M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	2.404En existencias	Cinta extraída 5,73 € 3,04 € 2,73 € Bobina 2,42 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	13 A	294 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	9.4 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 8,96 € 303En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG120R060M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG120R060M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	303En existencias	Cinta extraída 8,96 € 4,99 € 4,70 € Bobina 4,45 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	36 A	83 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	181 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 11,93 € 617En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG120R045M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG120R045M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	617En existencias	Cinta extraída 11,93 € 7,27 € 6,75 € Bobina 6,38 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	47 A	45 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R450M1XTMA1 Infineon Technologies 1: 6,58 € 6.201En existencias 9.000Pedido	Fabr. N.º Ref. IMBF170R450M1XTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBF170R450M1XTM	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Más información sobre Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Hoja de datos	6.201En existencias 9.000Pedido En las fechas de envío del pedido Fabr. N.º: IMBF170R450M1XTMA1 Existencias: 6.201 Puede enviarse inmediatamente Pedido: 3.000 Fecha prevista: 08/07/2027 6.000 Por determinar Plazo de producción de fábrica: 52 Semanas	Cinta extraída 6,58 € 4,40 € 3,54 € 3,15 € Bobina 2,79 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 Máx.: 1.000 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	9.8 A	450 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	11 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,22 € 3.836En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMW120R220M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	3.836En existencias	6,22 € 3,24 € 2,98 € 2,97 € 2,69 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	13 A	289 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 12,57 € 1.701En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMW65R027M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	1.701En existencias	12,57 € 7,56 € 7,46 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 9,25 € 279En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMW65R048M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW65R048M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	279En existencias	9,25 € 5,03 € 4,65 € 4,62 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 9,86 € 847En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMZ120R060M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZ120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	847En existencias	9,86 € 7,14 € 5,94 € 5,29 € 4,95 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	36 A	78 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,95 € 298En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMZA65R048M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	298En existencias	8,95 € 5,15 € 4,77 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R650M1XTMA1 Infineon Technologies 1: 5,85 € 2.276En existencias	Fabr. N.º Ref. IMBF170R650M1XTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBF170R650M1XTM	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Más información sobre Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Hoja de datos	2.276En existencias	Cinta extraída 5,85 € 3,84 € 2,82 € 2,51 € Bobina 2,22 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	7.4 A	650 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	8 nC	- 55 C	+ 175 C	88 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 14,07 € 944En existencias 1.000Fecha prevista: 14/10/2027 NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG120R030M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG120R030M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	944En existencias 1.000Fecha prevista: 14/10/2027	Cinta extraída 14,07 € 8,43 € Bobina 7,87 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	56 A	41 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	63 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 6,46 € 3.842En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG120R140M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG120R140M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	3.842En existencias	Cinta extraída 6,46 € 3,47 € 3,17 € Bobina 2,95 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	18 A	189 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	13.4 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 5,39 € 1.070En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG120R350M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG120R350M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	1.070En existencias	Cinta extraída 5,39 € 3,53 € 2,61 € 2,36 € Bobina 2,36 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 Máx.: 500 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	468 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	5.9 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 16,15 € 239En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMW120R030M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	239En existencias	16,15 € 12,30 € 10,25 € 9,13 € 7,76 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	40 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 9,61 € 1.011En existencias 1.200Fecha prevista: 07/12/2026 NRND	Fabr. N.º Ref. IMW120R060M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	1.011En existencias 1.200Fecha prevista: 07/12/2026	9,61 € 6,16 € 5,62 € 4,95 € 4,67 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	36 A	78 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 7,95 € 884En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMW120R090M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	884En existencias	7,95 € 4,26 € 3,92 € 3,73 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	26 A	117 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,85 € 314En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMW65R072M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW65R072M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	314En existencias	6,85 € 3,93 € 3,66 € 3,52 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	26 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,51 € 463En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMW65R107M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW65R107M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	463En existencias	6,51 € 3,41 € 3,14 € 2,90 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	142 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,12 € 55En existencias 960Pedido NRND	Fabr. N.º Ref. IMW120R350M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	55En existencias 960Pedido En las fechas de envío del pedido Fabr. N.º: IMW120R350M1HXKSA1 Existencias: 55 Puede enviarse inmediatamente Pedido: 720 Fecha prevista: 10/12/2026 240 Fecha prevista: 24/12/2026 Plazo de producción de fábrica: 52 Semanas	6,12 € 4,01 € 2,96 € 2,62 € 2,32 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	455 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	5.3 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 7,03 € 19En existencias 2.160Pedido NRND	Fabr. N.º Ref. IMZ120R220M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZ120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	19En existencias 2.160Pedido En las fechas de envío del pedido Fabr. N.º: IMZ120R220M1HXKSA1 Existencias: 19 Puede enviarse inmediatamente Pedido: 960 Fecha prevista: 25/03/2027 1.200 Fecha prevista: 01/04/2027 Plazo de producción de fábrica: 52 Semanas	7,03 € 4,70 € 3,78 € 3,35 € 2,98 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	13 A	220 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,15 € 179En existencias 240Fecha prevista: 28/01/2027 NRND	Fabr. N.º Ref. IMZ120R350M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZ120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package	Hoja de datos	179En existencias 240Fecha prevista: 28/01/2027	6,15 € 4,11 € 3,31 € 2,93 € 2,60 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	350 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	5.3 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 13,68 € 17En existencias 3.600Pedido NRND	Fabr. N.º Ref. IMZA65R027M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZA65R027M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	17En existencias 3.600Pedido En las fechas de envío del pedido Fabr. N.º: IMZA65R027M1HXKSA1 Existencias: 17 Puede enviarse inmediatamente Pedido: 1.680 Fecha prevista: 26/11/2026 1.920 Fecha prevista: 27/11/2026 Plazo de producción de fábrica: 52 Semanas	13,68 € 7,75 € 7,68 € 7,67 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	59 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon Technologies 1: 5,20 € 24.231Pedido	Fabr. N.º Ref. IMBF170R1K0M1XTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBF170R1K0M1XTM	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Más información sobre Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Hoja de datos	24.231Pedido En las fechas de envío del pedido Fabr. N.º: IMBF170R1K0M1XTMA1 Existencias: 0 Pedido: 3.231 Fecha prevista: 06/01/2027 2.000 Fecha prevista: 07/01/2027 19.000 Por determinar Plazo de producción de fábrica: 53 Semanas	Cinta extraída 5,20 € 3,41 € 2,55 € 2,13 € Bobina 1,85 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	5.2 A	1 Ohms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	5 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	CoolSiC